BSM100GB170DN2 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BSM100GB170DN2
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内容描述：	IGBT功率模块 [IGBT Power Module]
分类和应用：	晶体晶体管双极性晶体管栅局域网
文件页数/大小：	10 页 / 272 K
品牌：	EUPEC [ EUPEC GMBH ]

BSM 100 GB 170 DN2

IGBT功率模块

•半桥

•包括快速续流二极管

•与绝缘金属基板封装

• R

G于，分

= 15欧姆

TYPE

BSM 100 GB 170 DN2

最大额定值

参数

集电极 - 发射极电压

集电极 - 栅极电压

= 20 kΩ

栅极 - 发射极电压

DC集电极电流

= 25 °C

= 80 °C

集电极电流脉冲，

= 1毫秒

= 25 °C

= 80 °C

每个IGBT功率耗散

= 25 °C

芯片的温度

储存温度

热电阻，片式案例

二极管的热电阻，片式案例

绝缘测试电压，

= 1分。

爬电距离

净空

DIN湿度类别， DIN 40 040

IEC气候类型， DIN IEC 68-1

英镑

thJC

thJCD

合计

1000

+ 150

-40 ... + 125

≤

0.13

≤

0.4

4000

40 / 125 / 56

美国证券交易委员会

VAC

K / W

°C

Cpuls

290

200

145

100

符号

CGR

1700

± 20

值

1700

单位

包

半桥2

订购代码

C67070-A2703-A67

1700V 145A

Oct-27-1997

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