TECHNISCHE信息/技术信息
IGBT -模块
IGBT模块
BSM 200 GB 170 DLC
Höchstzulässige Werte /最大额定值
ELEKTRISCHE Eigenschaften /电气特性
Kollektor发射极 - Sperrspannung
集电极 - 发射极电压
Kollektor - Dauergleichstrom
DC集电极电流
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
重复峰值电流collctor
Gesamt - Verlustleistung
总功耗
栅射极Spitzenspannung
栅极 - 发射极电压峰值
Dauergleichstrom
直流正向电流
Periodischer Spitzenstrom
重复峰值FORW 。当前
Grenzlastintegral DER二极管
余吨 - 值，二极管
隔离， Prüfspannung
绝缘测试电压
2
V
CES
T
C
= 80 °C
T
C
= 25 °C
t
P
= 1毫秒，T
C
=80°C
I
I
C， NOM 。
1700
200
400
400
V
A
A
A
I
C
CRM
T
C
= 25 ° C，晶体管
P
合计
1660
W
V
GES
+/- 20V
V
I
F
200
A
TP = 1毫秒
I
FRM
400
A
V
R
= 0V ，T
p
= 10毫秒，T
Vj
= 125°C
2
It
11.000
A
2
s
RMS中，f = 50Hz时， t为1分钟。
V
ISOL
3,4
kV
Charakteristische Werte /特征值
晶体管/晶体管
Kollektor发射极Sättigungsspannung
集电极 - 发射极饱和电压
门Schwellenspannung
栅极阈值电压
Gateladung
栅极电荷
Eingangskapazität
输入电容
Rückwirkungskapazität
反向传输电容
Kollektor发射极Reststrom
集电极 - 发射极截止电流
栅极 - 射极Reststrom
栅极 - 发射极漏电流
I
C
= 200A ，V
GE
= 15V ，T
vj
= 25°
C
I
C
= 200A ，V
GE
= 15V ，T
vj
= 125°
C
I
C
= 9毫安，V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C
V
GE （日）
分钟。
V
CE坐
典型值。
2,6
3,1
5,5
马克斯。
3,2
3,6
6,5
V
V
V
-
-
4,5
V
GE
= -15V ... +15V
Q
G
-
2,4
-
µC
F = 1MHz的，T
vj
= 25 ° C，V
CE
= 25V, V
GE
= 0V
C
IES
-
15
-
nF
F = 1MHz的，T
vj
= 25 ° C，V
CE
= 25V, V
GE
= 0V
V
CE
= 1700V, V
GE
= 0V ，T
vj
= 25°
C
V
CE
= 1700V, V
GE
= 0V ，T
vj
= 125°
C
C
V
CE
= 0V, V
GE
= 20V ，T
vj
= 25°
I
I
C
水库
CES
-
-
-
0,7
0,05
6
-
-
0,5
nF
mA
mA
GES
-
200
nA
准备：雷吉娜Mallwitz
批准：克里斯托夫Lübke ; 2000年11月28日
出版日期： 2000年11月28日
修订版： 2 （系列）
1(8)
BSM200GB170DLC
EUPEC [ EUPEC GMBH ]
