TECHNISCHE信息/技术信息
IGBT -模块
IGBT模块
BSM 200 GA 170 DLC
Charakteristische Werte /特征值
晶体管/晶体管
Einschaltverzögerungszeit （ IND最后）
开机延迟时间（感性负载）
I
C
= 200A ，V
CE
= 900V
V
GE
= ± 15V ，R
G
= 7,5Ω, T
vj
= 25°C
V
GE
= ± 15V ，R
G
= 7,5Ω, T
vj
= 125°C
Anstiegszeit （ induktive上）
上升时间（感性负载）
I
C
= 200A ，V
CE
= 900V
V
GE
= ± 15V ，R
G
= 7,5Ω, T
vj
= 25°C
V
GE
= ± 15V ，R
G
= 7,5Ω, T
vj
= 125°C
Abschaltverzögerungszeit （ IND最后）
关闭延迟时间（感性负载）
I
C
= 200A ，V
CE
= 900V
V
GE
= ± 15V ，R
G
= 7,5Ω, T
vj
= 25°C
V
GE
= ± 15V ，R
G
= 7,5Ω, T
vj
= 125°C
Fallzeit （ induktive上）
下降时间（感性负载）
I
C
= 200A ，V
CE
= 900V
V
GE
= ± 15V ，R
G
= 7,5Ω, T
vj
= 25°C
V
GE
= ± 15V ，R
G
= 7,5Ω, T
vj
= 125°C
Einschaltverlustenergie亲普尔斯
导通的每脉冲能量损失
Abschaltverlustenergie亲普尔斯
关断每个脉冲的能量损失
Kurzschlußverhalten
SC数据
Modulinduktivität
杂散电感模块
Modulleitungswiderstand ， Anschlüsse - 芯片
模块引线电阻，接线端子 - 芯片
亲茨威格/每臂
I
C
= 200A ，V
CE
= 900V, V
GE
= 15V
R
G
= 7,5Ω, T
vj
= 125 ℃下，L-
S
= 60nH
I
C
= 200A ，V
CE
= 900V, V
GE
= 15V
R
G
= 7,5Ω, T
vj
= 125 ℃下，L-
S
= 60nH
t
P
≤
10微秒，V
GE
≤
15V ，R
G
= 7,5Ω
T
Vj
≤125°C,
V
CC
=1000V, V
CEmax
=V
CES
-L
SCE
· di / dt的
I
SC
L
SCE
-
-
800
15
-
-
A
nH
E
关闭
-
65
-
MWS
E
on
-
90
-
MWS
t
f
-
-
0,03
0,03
-
-
µs
µs
t
D，关
-
-
0,8
0,9
-
-
µs
µs
t
r
-
-
0,1
0,1
-
-
µs
µs
t
D，上
-
-
0,1
0,1
-
-
µs
µs
分钟。
典型值。
马克斯。
R
CC' + EE '
-
0,5
-
mΩ
Charakteristische Werte /特征值
二极管/二极管
Durchlaßspannung
正向电压
Rückstromspitze
峰值反向恢复电流
I
F
= 200A ，V
GE
= 0V ，T
vj
= 25°C
I
F
= 200A ，V
GE
= 0V ，T
vj
= 125°C
I
F
= 200A ， - 迪
F
/ DT = 2300A /微秒
V
R
= 900V ， VGE = -10V ，T
vj
= 25°C
V
R
= 900V ， VGE = -10V ，T
vj
= 125°C
Sperrverzögerungsladung
恢复电荷
I
F
= 200A ， - 迪
F
/ DT = 2300A /微秒
V
R
= 900V ， VGE = -10V ，T
vj
= 25°C
V
R
= 900V ， VGE = -10V ，T
vj
= 125°C
Abschaltenergie亲普尔斯
反向恢复能量
I
F
= 200A ， - 迪
F
/ DT = 2300A /微秒
V
R
= 900V ， VGE = -10V ，T
vj
= 25°C
V
R
= 900V ， VGE = -10V ，T
vj
= 125°C
E
REC
-
-
25
50
-
-
MWS
MWS
Q
r
-
-
60
105
-
-
μAs
μAs
I
RM
-
-
160
220
-
-
A
A
V
F
分钟。
-
-
典型值。
2,1
2,1
马克斯。
2,5
2,5
V
V
2(8)
BSM200GA170DLC
EUPEC [ EUPEC GMBH ]
