TECHNISCHE信息/技术信息
IGBT -模块
IGBT模块
BSM 300 GB 60 DLC
Höchstzulässige Werte /最大额定值
ELEKTRISCHE Eigenschaften /电气特性
Kollektor发射极 - Sperrspannung
集电极 - 发射极电压
Kollektor - Dauergleichstrom
DC集电极电流
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
重复峰值集电极电流
Gesamt - Verlustleistung
总功耗
栅射极Spitzenspannung
栅极 - 发射极电压峰值
Dauergleichstrom
直流正向电流
Periodischer Spitzenstrom
重复峰值FORW 。当前
Grenzlastintegral DER二极管
2
余吨 - 值，二极管
隔离， Prüfspannung
绝缘测试电压
t
P
为1ms
T
c
= 65°C
T
c
= 25°C
t
P
为1ms ，T
c
= 65°C
V
CES
I
C， NOM 。
I
C
I
CRM
600
300
375
600
V
A
A
A
T
c
= 25 ° C，晶体管
P
合计
1250
W
V
GES
+/- 20V
V
I
F
300
A
I
FRM
600
A
V
R
= 0V ，T
p
= 10毫秒，T
vj
= 125°C
I
2
t
19.200
A
2
s
RMS中，f = 50Hz时， T = 1分。
V
ISOL
2,5
kV
Charakteristische Werte /特征值
晶体管/晶体管
Kollektor发射极Sättigungsspannung
集电极 - 发射极饱和电压
门Schwellenspannung
栅极阈值电压
Eingangskapazität
输入电容
Rückwirkungskapazität
反向传输电容
Kollektor发射极Reststrom
集电极 - 发射极截止电流
栅极 - 射极Reststrom
栅极 - 发射极漏电流
I
C
= 300A ，V
GE
= 15V ，T
vj
= 25°C
I
C
= 300A ，V
GE
= 15V ，T
vj
= 125°C
I
C
= 6毫安，V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C
V
CE坐
分钟。
-
-
V
GE （日）
4,5
典型值。
1,95
2,20
5,5
马克斯。
2,45
-
6,5
V
V
V
F = 1MHz的，T
vj
= 25 ° C，V
CE
= 25V, V
GE
= 0V
C
IES
-
13
-
nF
F = 1MHz的，T
vj
= 25 ° C，V
CE
= 25V, V
GE
= 0V
V
CE
= 600V, V
GE
= 0V ，T
vj
= 25°C
V
CE
= 600V, V
GE
= 0V ，T
vj
= 125°C
V
CE
= 0V, V
GE
= 20V ，T
vj
= 25°C
C
水库
-
-
-
1,1
2
2
-
-
1000
-
400
nF
µA
mA
nA
I
CES
I
GES
-
准备：安德烈亚斯·维特尔
批准：迈克尔· Hornkamp
发布日期： 2000-04-26
修订： 1
1 (8)
BSM 300 GB 60 DLC S1
2000-02-08
EUPEC [ EUPEC GMBH ]
