BSM75GAL120DN2 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BSM75GAL120DN2
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内容描述：	IGBT功率模块 [IGBT Power Module]
分类和应用：	晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
文件页数/大小：	6 页 / 85 K
品牌：	EUPEC [ EUPEC GMBH ]

BSM 75 GAL 120 DN2

IGBT功率模块

•单开关，集电极菜刀二极管

•包括快速续流二极管

•与绝缘金属基板封装

TYPE

BSM 75 GAL 120 DN2

最大额定值

参数

集电极 - 发射极电压

集电极 - 栅极电压

= 20 kΩ

栅极 - 发射极电压

DC集电极电流

= 25 °C

= 80 °C

集电极电流脉冲，

= 1毫秒

= 25 °C

= 80 °C

每个IGBT功率耗散

= 25 °C

芯片的温度

储存温度

热电阻，片式案例

二极管的热电阻，片式案例

二极管热敏电阻，芯片的情况下，斩波器

绝缘测试电压，

= 1分。

爬电距离

净空

DIN湿度类别， DIN 40 040

IEC气候类型， DIN IEC 68-1

英镑

thJC

thJCD

THJCDC

合计

625

+ 150

-40 ... + 125

≤

0.2

≤

0.5

≤

0.36

2500

40 / 125 / 56

美国证券交易委员会

VAC

K / W

°C

Cpuls

210

150

105

符号

CGR

1200

± 20

值

1200

单位

包

订购代码

1200V 105A

半桥GAL 1 C67076 - A2011 - A70

Nov-24-1997

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