TECHNISCHE信息/技术信息
IGBT -模块
IGBT模块
FS100R12KE3
Vorläufige （千牛顿）
初步数据
Höchstzulässige Werte /最大额定值
ELEKTRISCHE Eigenschaften /电气特性
Kollektor发射Sperrspannung
集电极 - 发射极电压
Kollektor Dauergleichstrom
DC集电极电流
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
重复峰值集电极电流
Gesamt Verlustleistung
总功耗
门发射器Spitzenspannung
栅射极电压峰值
Dauergleichstrom
直流正向电流
Periodischer Spitzenstrom
重复峰值正向电流
Grenzlastintegral
I了价值
隔离Prüfspannung
绝缘测试电压
t
p
为1ms
T
c
= 80°C
T
c
= 25°C
t
p
为1ms ，T
c
= 80°C
V
CES
I
C， NOM
I
C
I
CRM
1200
100
140
200
V
A
A
A
T
c
= 25°C
P
合计
480
W
V
GES
+/- 20
V
I
F
100
A
I
FRM
200
A
V
R
= 0V ，T
p
= 10毫秒，T
vj
= 125°C
I了
1,95
KA的
RMS中，f = 50Hz时， T = 1分
V
ISOL
2,5
kV
Charakteristische Werte /特征值
晶体管Wechselrichter /晶体管逆变器
Kollektor发射Sättigungsspannung
集电极 - 发射极电压satration
门Schwellenspannung
栅极阈值电压
Gateladung
栅极电荷
Eingangskapazität
输入电容
Rückwirkungskapazität
反向传输电容
Kollektor发射Reststrom
集电极 - 发射极切断电流
门发射器Reststrom
栅射极漏电流
V
GE
= 15V ，T
vj
= 25 ° C，I
C
= I
C， NOM
V
GE
= 15V ，T
vj
≤ 125 ° C，I
C
= I
C， NOM
V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25 ° C，I
C
= 4毫安
V
CESAT
分钟。
-
-
5
典型值。
1,7
2
5,8
马克斯。
2,1
T.B.D.
6,5
V
V
V
V
GE （日）
V
GE
= -15V...+15V
Q
G
-
-
-
0,9
-
-
-
µC
F = 1MHz的，T
vj
= 25 ° C，V
CE
= 25V, V
GE
= 0V
C
IES
7,1
nF
F = 1MHz的，T
vj
= 25 ° C，V
CE
= 25V, V
GE
= 0V
C
水库
0,3
nF
V
CE
= 1200V, V
GE
= 0V ，T
vj
= 25°C
I
CES
-
-
5
mA
V
CE
= 0V, V
GE
= 20V ，T
vj
= 25°C
I
GES
-
-
400
nA
准备：马克·闵采尔
批准：马丁Hierholzer
发布日期： 2001-08-16
修订版： 2
1 (8)
Datenblatt_FS100R12KE3_V2.xls
2001-08-16
EUPEC [ EUPEC GMBH ]
