TECHNISCHE信息/技术信息
IGBT -模块
IGBT模块
FS50R06YL4
Vorläufige （千牛顿）
初步数据
Höchstzulässige Werte /最大额定值
ELEKTRISCHE Eigenschaften /电气特性
Kollektor发射Sperrspannung
集电极 - 发射极电压
Kollektor Dauergleichstrom
DC集电极电流
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
重复峰值集电极电流
Gesamt Verlustleistung
总功耗
门发射器Spitzenspannung
栅射极电压峰值
Dauergleichstrom
直流正向电流
Periodischer Spitzenstrom
重复峰值正向电流
Grenzlastintegral
I了价值
隔离Prüfspannung
绝缘测试电压
t
p
为1ms
V
R
= 0V ，T
p
= 10毫秒，T
vj
= 125°C
RMS中，f = 50Hz时， T = 1分
T
vj
= 25°C
T
c
= 55°C
T
c
= 25°C
t
p
为1ms ，T
c
= 55°C
T
c
= 25 ° C，晶体管
V
CES
I
C， NOM 。
I
C
I
CRM
P
合计
V
GES
I
F
I
FRM
I了
V
ISOL
600
50
55
100
V
A
A
A
202
W
+20
V
50
A
100
A
630
A²s
2,5
kV
Charakteristische Werte /特征值
晶体管Wechselrichter /晶体管逆变器
Kollektor发射Sättigungsspannung
集电极 - 发射极饱和电压
门Schwellenspannung
栅极阈值电压
Gateladung
栅极电荷
Eingangskapazität
输入电容
Rückwirkungskapazität
反向传输电容
Kollektor发射Reststrom
集电极 - 发射极切断电流
门发射器Reststrom
栅射极漏电流
V
GE
= 15V ，T
vj
= 25 ° C，I
C
= I
C， NOM
V
GE
= 15V ，T
vj
≤ 125 ° C，I
C
= I
C， NOM
V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25 ° C，I
C
= 1毫安
V
GE
= -15V...+15V
F = 1MHz的，T
vj
= 25 ° C，V
CE
= 25V, V
GE
= 0V
F = 1MHz的，T
vj
= 25 ° C，V
CE
= 25V, V
GE
= 0V
V
CE
= 600V, V
GE
= 0V ，T
vj
= 25°C
V
CE
= 0V, V
GE
= 20V ，T
vj
= 25°C
V
CESAT
V
GE （日）
Q
G
C
IES
C
水库
I
CES
I
GES
分钟。
-
-
4,5
典型值。
1,95
2,20
5,5
马克斯。
2,55
-
6,5
V
V
V
-
-
-
0,3
-
-
-
µC
2,2
nF
0,2
nF
-
-
5
mA
-
-
400
nA
准备： P. Kanschat
批准： R. Keggenhoff
发布日期： 2002-11-25
修订： 2.1
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EUPEC [ EUPEC GMBH ]
