欧元
石英
薄型小型SMD晶体
特点
非常高的冲击和振动生存
专为表面贴装应用，包括
红外线，气相或环氧树脂封装技术
密封陶瓷封装
优异耐老化性
可用玻璃或陶瓷盖
可定制设计
提供完整的军事试验
CX3HGSM AT晶体
9.6MHz至250MHz的
描述
在无引线陶瓷封装CX3HGSM的AT晶体被设计为
表面安装在印刷电路板或混合底物。占地面积小，
低调的晶体已经被设计用于要求高的应用
冲击和振动的存活。
轮廓尺寸&
规范
规格说明是典型的25°C时，除非另有说明。
规格如有变更，恕不另行通知。
基本频率：
串联电阻R（ Ω ） ：
动态电容C1（ fF的） ：
品质因数Q （ K） ：
并联电容C0 （PF ） ：
校准公差
1
:
负载电容
2
:
驱动电平：
温度稳定性
3
商业-10 〜 + 60 ° C：
工业-40至+ 85°C ：
军事-55至+ 125°C ：
老龄化，第一年
4
:
冲击，生存
5
:
振动，生存
6
:
工作温度范围
商业：
工业：
军事：
存储温度范围：
最大过程温度：
10.0MHz
60
2.8
95
1.4
32.0MHz
25
6.2
30
2.3
155.52MHz
10
4.0
30
2.3
± 100ppm的或更严格的要求
20pF的帧中继。 <50MHz
10pF的帧中继。 >50MHz
500μW最大。为FR 。 <50MHz
200μW最大。为FR 。 <50MHz
为±50ppm至± 10ppm的
± 100ppm的为± 20ppm的
± 100ppm的为± 30ppm的
5ppm的MAX 。
超过±1ppm的可更好
截至20000克， 0.3ms ， ＆ frac12 ;正弦
20G， 10 〜 2000Hz的正弦扫频
-10 °至+ 70°C
-40 °C至+ 85°C
-55到+ 125°C
-55 °C至+ 125°C
+ 260℃ 20秒
暗淡。 ħ
SM1
SM2
SM3
SM4
SM5
玻璃
LID
1.35
1.40
1.47
1.40
1.47
陶瓷的
LID
1.70
1.75
1.83
1.75
1.83
封装选项
CX3HGSM AT晶体，可无论是纸盒包装（ <250pcs ）或
磁带和卷轴（ >250件） 。
16毫米磁带， 178毫米或330毫米卷轴（ EIA 418 ） 。
1.提供其他公差，请联系Euroquartz销售。
2.除非另有规定。
3.不包括校准公差。的特点
随温度的频率稳定性遵循所述AT的厚度 -
剪切模式。
4. 5ppm的最大。对于低于40MHz的频率更严格的公差
而更高的频率与Euroquartz销售。
5.可用震荡走高的版本。见CX1HGSM
6.每MIL -STD- 202G ，方法204D ，条件D.随机振动
测试也可提供。
晶体等效电路
R1串联电阻
C1动态电容
L1动态电感
C0并联电容
HOW TO ORDER CX3HGSM AT晶体
CX3 -
S
-
HG1 - C -
HG1 =万克
HG2 = 20000克
SM1
-
32.0M
频率
M =兆赫
, 100 / 100 / - /
校准
公差
@25°C
（单位：ppm ）
频率
在稳定
TEMP 。 RANGE
（单位：ppm ）
I
'S'如有特殊，
定制设计。
否则保留
空白
空白=玻璃盖
C =陶瓷盖
终端
SM1 =镀金*
SM2 =焊接镀
SM3 =浸焊
SM4 =焊接镀*
SM5 =焊接蘸*
* =无铅
TEMP 。 RANGE
C = -10° ~ +70°C
I = -40 ° 〜 + 85°C
M = -55 ° 〜 + 125°C
S =客户指定
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