欧元
石英
超微型低厚度SMD晶体
特点
频率范围为32kHz至为160kHz
高抗震性
超小型陶瓷封装
低老化
专为低功耗应用
全MIL测试可用
CX9VSM水晶
为32kHz至为160kHz
轮廓尺寸&
描述
CX9VSM晶体是专为表面贴装无铅器件
PCB上或混合基质。该晶体具有一个非常低轮廓
（ <0.94毫米），并适用于所有的低频应用。
规范
规格说明是典型的25°C时，除非另有说明。
规格如有变更，恕不另行通知。
参数
频率（kHz ） ：
串联电阻R1 （ kΩ）连接：
动态电容C1（ fF的） ：
QualityFactor Q（ K） ：
并联电容C0 （PF ） ：
负载电容（PF ）
1
:
转点（ ℃） ：
2
暗淡。 ħ
SM1
SM2
SM3
SM4
SM5
玻璃
LID
0.87
0.87
0.91
0.87
0.91
陶瓷的
LID
基本
32.768
70
2.2
27
1.1
9
20
100.0
19
1.0
80
0.84
5
16
0.90
0.90
0.94
0.90
0.94
端子的 - 电镀
称号
终止
标准校准公差为32.768kHz的（ 3 ）
玻璃盖：
陶瓷盖：
A = ± 50PPM
(0.003%)
A = ± 100ppm的
(0.01%)
B = ± 100ppm的
(0.01%)
B = ± 1000ppm的
(0.1%)
C = ± 1000ppm的
(0.1%)
C = ± 10000PPM
(1.0%)
SM1
SM2
SM3
SM4
SM5
镀金（无铅）
焊接镀
浸焊剂
镀焊锡（无铅）
焊锡浸胶（无铅）
驱动电平：
温度系数（ k）的：
老龄化，第一年：
0.5μW最大。
-0.035ppm/°C
2
5ppm的MAX 。
传统的CMOS皮尔斯振荡器电路
注意：在温度T的频率f被相关频率佛在
拐点温度要通过：
F- FO
= K （T -要）
2
fo
冲击，生存：
振动，生存：
工作温度范围
商业：
工业：
军事：
存储温度范围：
最大过程温度：
1.
2.
3.
5000克， 0.3ms ， ＆ frac12 ;正弦
20克RMS ， 10 〜 2000Hz的随机
-10 °至+ 70°C
-40 °C至+ 85°C
-55到+ 125°C
-55 °C至+ 125°C
+ 260℃ 20秒
其他的负载电容值是可用的。
其他可用的温度。
提供严格的公差。
封装选项
CX9VSM晶体，可无论是纸盒包装（ <250pcs ）或磁带
和卷轴（ >250件） 。
16毫米磁带， 178毫米或330毫米卷轴（ EIA 418 ） 。
HOW TO ORDER CX9VSM晶体
CX9V - S
'S'如有特殊，
定制设计。
否则保留
空白
-
C
空白=玻璃盖
C =陶瓷盖
-
SM1
-
100.0K,
频率
K =千赫
100 /
校准
宽容*
A
B
C
I
TEMP 。 RANGE
C = -10° ~ +70°C
I = -40 ° 〜 + 85°C
M = -55 ° 〜 + 125°C
S =客户指定
终端
SM1 =镀金*
SM2 =焊接镀
SM3 =浸焊
SM4 =焊接镀*
SM5 =焊接蘸*
* =无铅
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