Excelics
数据表
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+ 21.0dBm典型输出功率
11.0分贝典型功率增益为12 GHz
典型1.5分贝噪声系数和10分贝ASSOCIATED
增益为12 GHz
0.3 X 250微米嵌“蘑菇”门
Si
3
N
4
钝化
先进的外延掺杂分布
可提供高功率效率,
线性度和可靠性
IDSS排序5毫安PER BIN范围
'
EFA025A
低失真功率的GaAs FET
'
6
*
*
6
芯片厚度: 75
±
13微米
以微米所有尺寸
电气特性(T
a
= 25
O
C)
符号
P
1dB
G
1dB
PAE
NF
G
A
IDSS
Gm
Vp
BVgd
BVgs
RTH
参数/测试条件
在1dB压缩输出功率
VDS = 8V , IDS = 50 %的Idss
增益1dB压缩
VDS = 8V , IDS = 50 %的Idss
VDS = 8V , IDS = 50 %的Idss
噪声系数的Vds = 3V ,IDS = 15毫安
相关的增益的Vds = 3V ,IDS = 15毫安
跨
捏-O FF电压
f=12GHz
f=18GHz
f=12GHz
f=18GHz
f=12GHz
f=12GHz
f=12GHz
35
30
-12
-7
9
民
19
典型值
21
21
11
9
%
38
1.5
10
65
40
-2
-15
-14
155
o
最大
单位
DBM
dB
在1dB压缩功率附加效率
dB
dB
105
-3.5
mA
mS
V
V
V
C / W
饱和漏极电流VDS = 3V , VGS = 0V
VDS = 3V , VGS = 0V
VDS = 3V ,IDS = 1.0毫安
漏极耐压IGD = 1.0毫安
源极击穿电压的Ig = 1.0毫安
热电阻(的Au-Sn共晶附在后面)
最大额定值在25
O
C
符号
参数
绝对
1
连续
2
漏源电压
12V
8V
VDS
栅源电压
-8V
-4V
VGS
漏电流
IDSS
90mA
IDS
正向栅电流
6mA
1mA
Igsf
输入功率
19dBm
@ 3分贝压缩
针
通道温度
175
o
C
150
o
C
总胆固醇
储存温度
-65/175
o
C
-65/150
o
C
TSTG
总功耗
880mW
730mW
Pt
注:1,超过任何上述的评分可能导致永久性损伤。
2.任何超出上述评级的可能减少到低于设计目标MTTF 。
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