EFA025A-70
已更新2006年4月28日
低失真功率的GaAs FET
特点
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•
•
•
•
无封闭低成本陶瓷70mil套餐
在1dB压缩20.0 dBm的输出功率
10.0分贝功率增益为12GHz的
7.0分贝功率增益为18GHz的
典型1.50分贝噪声系数和
10.0分贝相关的增益在12GHz的
0.3 X 250微米嵌“蘑菇”门
Si
3
N
4
钝化
先进的外延异质结简介提供高
电源效率，线性度和可靠性
注意！ ESD敏感器件。
民
17.0
8.5
典型值
20.0
20.0
10.0
7.0
35
1.5
10
35
30
-10
-6
65
40
-2.0
-15
-14
370*
-3.5
105
最大
单位
DBM
dB
%
dB
dB
mA
mS
V
V
V
o
C / W
•
•
•
电气特性（T
a
= 25°C)
符号
P
1dB
G
1dB
PAE
NF
GA
I
DSS
G
M
V
P
BV
GD
BV
GS
R
TH
参数/测试条件
1
在1dB压缩输出功率
F = 12GHz的
V
DS
= 6V ，我
DS
≈
50% I
DSS
F = 18GHz的
增益1dB压缩
F = 12GHz的
F = 18GHz的
V
DS
= 6V ，我
DS
≈
50% I
DSS
在1dB压缩功率附加效率
V
DS
= 6V ，我
DS
≈
50% I
DSS
F = 12GHz的
噪声系数V
DS
= 3V ，我
DS
= 15毫安
F = 12GHz的
副增益V
DS
= 3V ，我
DS
= 15毫安
饱和漏极电流
跨
捏-O FF电压
漏极耐压
源极击穿电压
热阻
F = 12GHz的
V
DS
= 3 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 3 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 3 V，I
DS
= 1.0毫安
I
GD
= 1.0毫安
I
GS
= 1.0毫安
注意事项：
*
总体的Rth取决于安装的情况下。
最大额定值在25
O
C
符号
V
DS
V
GS
I
DS
I
GSF
P
IN
P
T
T
CH
T
英镑
特征
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
正向栅电流
输入功率
总功耗
通道温度
储存温度
价值
6V
-4 V
52毫安
1毫安
@ 3分贝压缩
310毫瓦
150°C
-65/+150°C
注：1，超过任何上述的评分可能导致永久性损伤。
2.任何超出上述评级的可能减少到低于设计目标MTTF 。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
Excelics半导体公司310德Guigne车道，桑尼维尔，CA 94085
电话： 408-737-1711传真： 408-737-1868网址：
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修订2006年5月
EXCELICS [ EXCELICS SEMICONDUCTOR, INC. ]
