Excelics
数据表
180分钟。
（所有引线）
EFA040A-70
低失真功率的GaAs FET
44
19
4
•
•
•
•
•
•
非密封的低成本陶瓷70mil包装
+ 22.0dBm典型输出功率
8.0分贝典型功率增益为12 GHz
0.3× 400 MICRON嵌“蘑菇”门
Si
3
N
4
钝化
先进的外延掺杂分布
可提供高功率效率，
线性度和可靠性
O
20
D
S
S
40
G
所有尺寸在密耳。
电气特性（T
a
= 25 C)
符号
P
1dB
G
1dB
PAE
IDSS
Gm
Vp
BVgd
BVgs
RTH
参数/测试条件
在1dB压缩输出功率
VDS = 6V ， IDS = 50 ％的Idss
增益1dB压缩
VDS = 6V ， IDS = 50 ％的Idss
增益1dB压缩
VDS = 6V ， IDS = 50 ％的Idss
饱和漏极电流
跨
捏-O FF电压
f=12GHz
f=18GHz
f=12GHz
f=18GHz
f=12GHz
60
45
民
20.0
6.5
典型值
22.0
22.0
8.0
5.0
33
105
60
-2.0
-10
-6
-15
-14
250
*
o
最大
单位
DBM
dB
%
VDS = 3V ， VGS = 0V
VDS = 3V ， VGS = 0V
VDS = 3V ， IDS = 1.0毫安
160
mA
mS
-3.5
V
V
V
C / W
漏极耐压IGD = 1.0毫安
源极击穿电压的Ig = 1.0毫安
热阻
*整体的Rth取决于安装的情况下。
最大额定值在25
O
C
符号
参数
绝对
1
连续
2
漏源电压
10V
6V
VDS
栅源电压
-6V
-4V
VGS
漏电流
IDSS
75mA
IDS
正向栅电流
10mA
1.5mA
Igsf
输入功率
21dBm
@ 3分贝压缩
针
o
通道温度
175 C
150
o
C
总胆固醇
储存温度
-65/175
o
C
-65/150
o
C
TSTG
总功耗
550mW
445mW
Pt
注： 1超过任何上述的评分可能导致永久性损伤。
2.任何超出上述评级的可能减少到低于设计目标MTTF 。
Excelics半导体公司， 2908斯科特大道，圣克拉拉， CA 95054
电话： （ 408 ） 970-8664传真： （ 408 ） 970-8998网址： www.excelics.com
70
EXCELICS [ EXCELICS SEMICONDUCTOR, INC. ]
