Excelics
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EFA060B/EFA060BV
数据表
低失真功率的GaAs FET
350
+ 25.0dBm典型输出功率
10.5分贝典型功率增益EFA060B和
12.0分贝FOR EFA060BV AT 12GHz的
0.3× 600 MICRON嵌“蘑菇”门
Si
3
N
4
钝化
先进的外延掺杂分布
可提供高功率效率，
线性度和可靠性
EFA060BV带通孔源极接地
IDSS排序10毫安PER BIN范围
50
D
48
350
100
40
G
95
50
芯片厚度： 75
±
20微米
以微米所有尺寸
电气特性（T
a
= 25
O
C)
符号
参数/测试条件
民
P
1dB
G
1dB
PAE
IDSS
Gm
Vp
BVgd
BVgs
RTH
在1dB压缩输出功率
VDS = 8V ， IDS = 50 ％的Idss
增益1dB压缩
VDS = 8V ， IDS = 50 ％的Idss
增益1dB压缩
VDS = 8V ， IDS = 50 ％的Idss
饱和漏极电流
跨
捏-O FF电压
f=12GHz
f=18GHz
f=12GHz
f=18GHz
f=12GHz
100
70
23.0
9.0
典型值
25.0
25.0
10.5
8.0
35
170
90
-2.0
-12
-7
-15
-14
75
:
通孔
任何通过孔EFA060B
EFA060BV
最大
民
23.0
10.5
典型值
25.0
25.0
12.0
10.0
36
240
100
70
-3.5
-12
-7
170
90
-2.0
-15
-14
55
o
EFA060B
单位
最大
DBM
dB
%
240
mA
mS
-3.5
V
V
V
C / W
VDS = 3V ， VGS = 0V
VDS = 3V ， VGS = 0V
VDS = 3V ，IDS = 1.5毫安
漏极耐压IGD = 1.0毫安
源极击穿电压的Ig = 1.0毫安
热电阻（的Au-Sn共晶附在后面）
最大额定值在25
O
C
符号
参数
EFA060B
绝对
1
EFA060BV
2
连续
8V
-4V
190mA
2.5mA
@ 3分贝
压缩
150
o
C
-65/150
o
C
1.5W
绝对
1
12V
-8V
IDSS
15mA
23dBm
175
o
C
-65/175
o
C
2.5W
连续
2
8V
-4V
IDSS
2.5mA
@ 3分贝
压缩
150
o
C
-65/150
o
C
2.1W
VDS
VGS
IDS
Igsf
针
总胆固醇
TSTG
Pt
漏源电压
栅源电压
漏电流
正向栅电流
输入功率
通道温度
储存温度
总功耗
12V
-8V
IDSS
15mA
23dBm
175
o
C
-65/175
o
C
1.8W
注：1，超过任何上述的评分可能导致永久性损伤。
2.任何超出上述评级的可能减少到低于设计目标MTTF 。
Excelics半导体公司， 2908斯科特大道，圣克拉拉， CA 95054
电话： （ 408 ） 970-8664传真： （ 408 ） 970-8998网址： www.excelics.com
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