Excelics
数据表
•
•
•
•
•
•
+ 26.0dBm典型输出功率
10.0分贝典型功率增益为12 GHz
0.3× 800 MICRON嵌“蘑菇”门
Si
3
N
4
钝化
先进的外延掺杂分布
可提供高功率效率，
线性度和可靠性
IDSS排序15毫安PER BIN范围
50
D
EFA080A
低失真功率的GaAs FET
510
116
D
48
340
100
40
S
G
S
G
S
95
50
80
电气特性（T
a
= 25 C)
符号
P
1dB
G
1dB
PAE
IDSS
Gm
Vp
BVgd
BVgs
RTH
参数/测试条件
在1dB压缩输出功率
f=12GHz
VDS = 8V ， IDS = 50 ％的Idss
f=18GHz
增益1dB压缩
f=12GHz
VDS = 8V ， IDS = 50 ％的Idss
f=18GHz
在1dB压缩功率附加效率
VDS = 8V ， IDS = 50 ％的Idss
f=12GHz
饱和漏极电流
跨
捏-O FF电压
VDS = 3V ， VGS = 0V
VDS = 3V ， VGS = 0V
VDS = 3V ，IDS = 2.0毫安
O
芯片厚度： 75
±
13微米
以微米所有尺寸
民
24.0
8.0
典型值
26.0
26.0
10.0
7.5
35
最大
单位
DBM
dB
%
130
90
210
120
-2.0
300
mA
mS
-3.5
V
V
V
o
漏极耐压IGD = 1.0毫安
源极击穿电压的Ig = 1.0毫安
热电阻（的Au-Sn共晶附在后面）
-12
-7
-15
-14
55
C / W
最大额定值在25
O
C
符号
参数
绝对
1
连续
2
漏源电压
12V
8V
VDS
栅源电压
-8V
-4V
VGS
漏电流
IDSS
260mA
IDS
正向栅电流
20mA
4mA
Igsf
输入功率
25dBm
@ 3分贝压缩
针
通道温度
175
o
C
150
o
C
总胆固醇
储存温度
-65/175
o
C
-65/150
o
C
TSTG
总功耗
2.5 W
2.1 W
Pt
注：1，超过任何上述的评分可能导致永久性损伤。
2.任何超出上述评级的可能减少到低于设计目标MTTF 。
Excelics半导体公司， 2908斯科特大道，圣克拉拉， CA 95054
电话： （ 408 ） 970-8664传真： （ 408 ） 970-8998网址： www.excelics.com
EXCELICS [ EXCELICS SEMICONDUCTOR, INC. ]
