EFA120D
已更新2006年9月5日
低失真功率的GaAs FET
特点
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•
•
•
+ 28.0dBm典型输出功率
19.5分贝典型功率增益为2GHz
0.5 X 1200 MICRON嵌“蘑菇”门
Si
3
N
4
钝化和镀HEAT SINK
先进的外延掺杂分布
可提供高功率效率，
线性度和可靠性
IDSS排序30毫安PER BIN范围
芯片厚度： 75
±
20微米
以微米所有尺寸
电气特性（T
a
= 25
O
C)
符号
P
1dB
G
1dB
PAE
IDSS
Gm
Vp
BVgd
BVgs
RTH
参数/测试条件
在1dB压缩输出功率
F = 2GHz的
VDS = 8V ， IDS = 50 ％的Idss
F = 4GHz的
增益1dB压缩
F = 2GHz的
VDS = 8V ， IDS = 50 ％的Idss
F = 4GHz的
在1dB压缩功率附加效率
VDS = 8V ， IDS = 50 ％的Idss
f=2GHz
饱和漏极电流
跨
捏-O FF电压
漏极耐压
源极击穿电压
VDS = 3V ， VGS = 0V
VDS = 3V ， VGS = 0V
Vds=3V,Ids=3.4mA
Igd=1.2mA
Igs=1.2mA
注意！ ESD敏感器件。
民
26.0
18.0
典型值
28.0
28.0
19.5
14.5
45
220
140
340
180
-2.0
-13
-7
-15
-14
40
45
o
最大
单位
DBM
dB
%
440
mA
mS
-3.5
V
V
V
C / W
热电阻（的Au-Sn共晶附在后面）
最大额定值在25
O
C
符号
VDS
VGS
Igsf
Igsr
针
总胆固醇
TSTG
Pt
注意：
参数
漏源电压
栅源电压
正向栅电流
储备栅电流
输入功率
通道温度
储存温度
总功耗
绝对
1
12V
-5V
5.4毫安
0.9毫安
25 dBm的
175
o
C
-65/175
o
C
3.3 W
连续
2
8V
-4V
1.8毫安
0.3毫安
@ 3分贝压缩
175
o
C
-65/175
o
C
3.3 W
1.超过任何上述的评分可能导致永久性损伤。
2.任何超出上述评级的可能减少到低于设计目标MTTF 。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
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第1页2
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修订后的2006年9月
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