Excelics
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EFA120B/EFA120BV
数据表
低失真功率的GaAs FET
550
+ 28.0dBm典型输出功率
9.5分贝典型功率增益EFA120B和
11.5分贝FOR EFA120BV AT 12GHz的
0.3 X 1200 MICRON嵌“蘑菇”门
Si
3
N
4
钝化
先进的外延掺杂分布
可提供高功率效率，
线性度和可靠性
EFA120BV带通孔源极接地
IDSS排序20毫安PER BIN范围
50
156
D
D
48
350
100
40
G
G
芯片厚度： 75
±
20微米
以微米所有尺寸
95
50
120
电气特性（T
a
= 25
O
C)
符号
参数/测试条件
民
P
1dB
G
1dB
PAE
IDSS
Gm
Vp
BVgd
BVgs
RTH
在1dB压缩输出功率
VDS = 8V ， IDS = 50 ％的Idss
增益1dB压缩
VDS = 8V ， IDS = 50 ％的Idss
增益1dB压缩
VDS = 8V ， IDS = 50 ％的Idss
饱和漏极电流
跨
捏-O FF电压
f=12GHz
f=18GHz
f=12GHz
f=18GHz
f=12GHz
200
140
26.0
8.0
典型值
28.0
28.0
9.5
7.0
34
340
180
-2.0
-12
-7
-15
-14
40
:
通孔
任何通过孔EFA120B
EFA120BV
最大
民
26.0
10.0
典型值
28.0
28.0
11.5
9.0
36
440
200
140
-3.5
-12
-7
340
180
-2.0
-15
-14
30
o
EFA120B
单位
最大
DBM
dB
%
440
mA
mS
-3.5
V
V
V
C / W
VDS = 3V ， VGS = 0V
VDS = 3V ， VGS = 0V
VDS = 3V ，IDS = 3.0毫安
漏极耐压IGD = 1.2毫安
源极击穿电压的Ig = 1.2毫安
热电阻（的Au-Sn共晶附在后面）
最大额定值在25
O
C
符号
参数
EFA120B
绝对
1
EFA120BV
2
连续
8V
-4V
355mA
5mA
@ 3分贝
压缩
150
o
C
-65/150
o
C
2.8W
绝对
1
12V
-8V
IDSS
30mA
26dBm
175
o
C
-65/175
o
C
4.5W
连续
2
8V
-4V
IDSS
5mA
@ 3分贝
压缩
150
o
C
-65/150
o
C
3.8W
VDS
VGS
IDS
Igsf
针
总胆固醇
TSTG
Pt
漏源电压
栅源电压
漏电流
正向栅电流
输入功率
通道温度
储存温度
总功耗
12V
-8V
IDSS
30mA
26dBm
175
o
C
-65/175
o
C
3.4W
注：1，超过任何上述的评分可能导致永久性损伤。
2.任何超出上述评级的可能减少到低于设计目标MTTF 。
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