Excelics
数据表
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+ 29.0dBm典型输出功率
9.0分贝典型功率增益为12 GHz
0.3 X 1600 MICRON RECESSED
“蘑菇”门
Si
3
N
4
钝化
先进的外延掺杂分布
可提供高功率效率，
线性度和可靠性
IDSS排序30毫安PER BIN范围
50
D
D
EFA160A
低失真功率的GaAs FET
840
116
D
D
48
340
100
40
S
95
G
S
80
G
50
S
G
S
G
S
电气特性（T
a
= 25
O
C)
符号
P
1dB
G
1dB
PAE
IDSS
Gm
Vp
BVgd
BVgs
RTH
参数/测试条件
在1dB压缩输出功率
VDS = 8V ， IDS = 50 ％的Idss
增益1dB压缩
VDS = 8V ， IDS = 50 ％的Idss
增益1dB压缩
VDS = 8V ， IDS = 50 ％的Idss
饱和漏极电流
跨
捏-O FF电压
f=12GHz
f=18GHz
f=12GHz
f=18GHz
f=12GHz
芯片厚度： 75
±
13微米
以微米所有尺寸
民
27.0
7.0
典型值
29.0
29.0
9.0
6.5
34
最大
单位
DBM
dB
%
VDS = 3V ， VGS = 0V
VDS = 3V ， VGS = 0V
VDS = 3V ，IDS = 4.0毫安
260
180
420
240
-2.0
600
mA
mS
-3.5
V
V
V
o
漏极耐压IGD = 1.6毫安
源极击穿电压的Ig = 1.6毫安
热电阻（的Au-Sn共晶附在后面）
-12
-7
-15
-14
30
C / W
最大额定值在25
O
C
符号
参数
绝对
1
连续
2
漏源电压
12V
8V
VDS
栅源电压
-8V
-4V
VGS
漏电流
IDSS
475mA
IDS
正向栅电流
40mA
7mA
Igsf
输入功率
28dBm
@ 3分贝压缩
针
o
通道温度
175 C
150
o
C
总胆固醇
储存温度
-65/175
o
C
-65/150
o
C
TSTG
总功耗
4.5W
3.8W
Pt
注：1，超过任何上述的评分可能导致永久性损伤。
2.任何超出上述评级的可能减少到低于设计目标MTTF 。
Excelics半导体公司， 2908斯科特大道，圣克拉拉， CA 95054
电话： （ 408 ） 970-8664传真： （ 408 ） 970-8998网址： www.excelics.com
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