EFA240BV-100P
2007年9月28日签发
低失真功率的GaAs FET
•
•
•
•
•
•
非密封的100mil金属法兰包装
+ 31.0dBm典型输出功率
8.5分贝典型功率增益为12 GHz
0.3× 2400 MICRON嵌“蘑菇”门
Si
3
N
4
钝化
先进的外延掺杂分布
可提供高功率效率，
线性度和可靠性
G
D
电气特性（T
a
= 25
O
C)
符号
P
1dB
G
1dB
PAE
I
DSS
Gm
Vp
BV
GD
BV
GS
RTH
参数/测试条件
在1dB压缩输出功率
F = 12GHz的
V
DS
= 8V ，我
DS
=50% I
DSS
F = 18GHz的
增益1dB压缩
F = 12GHz的
V
DS
= 8V ，我
DS
=50% I
DSS
F = 18GHz的
在1dB压缩功率附加效率
f=12GHz
V
DS
= 8V ，我
DS
=50% I
DSS
饱和漏极电流
跨
捏-O FF电压
漏极耐压
源极击穿电压
V
DS
=3V, V
GS
=0V
V
DS
=3V, V
GS
=0V
V
DS
=3V,I
DS
=6mA
I
GD
=2.4mA
I
GS
=2.4mA
-13
-7
民
29.0
7
典型值
31.0
31.0
8.5
6.0
33
400
280
680
360
-2.0
-15
-14
15
-3.5
880
最大
单位
DBM
dB
%
mA
mS
V
V
V
摄氏度/ W
热电阻（的Au-Sn共晶附在后面）
注意：
*
总体的Rth取决于安装的情况下。
最大额定值在25
O
C
符号
V
DS
V
GS
IGF
IGR
针
总胆固醇
TSTG
Pt
参数
漏源电压
栅源电压
正向栅电流
反向栅电流
输入功率
通道温度
储存温度
总功耗
绝对
1
12V
-8V
60毫安
-1.8毫安
29 dBm的
175
o
C
-65/175
o
C
9.1 W
连续
2
8V
-4V
10毫安
-0.6毫安
@ 3分贝压缩
175
o
C
-65/175
o
C
7.6 W
注：1，超过任何上述的评分可能导致永久性损伤。
2.任何超出上述评级的可能减少到低于设计目标MTTF 。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
Excelics半导体公司310德Guigne车道，桑尼维尔，CA 94085
第1页2
电话： 408-737-1711传真： 408-737-1868网址：
www.excelics.com
修订后的2007年9月
EXCELICS [ EXCELICS SEMICONDUCTOR, INC. ]
