EFA720AV-CP083
已更新二零零六年一月三十〇日
低失真功率的GaAs FET
720AV
全民教育
特点
•
•
•
•
•
•
非密封表面贴装
160MIL金属陶瓷封装
+ 33.5dBm输出功率
17.0分贝典型功率增益在2 GHz
0.5x4800 MICRON嵌“蘑菇”门
Si
3
N
4
钝化
先进的外延异质结PROFLIE
提供了额外的高功率效率和高
可靠性
●
在密尔的所有尺寸
公差： ± 3万
注意！ ESD敏感器件。
电气特性（T
a
= 25°C)
符号
P
1dB
G
1dB
PAE
I
DSS
G
M
V
P
BV
GD
BV
GS
R
TH
*
参数/测试条件
在1dB压缩输出功率
f=
VDS = 8 V ， IDS = 50 ％的Idss
f=
增益1dB压缩
f=
VDS = 8 V ， IDS = 50 ％的Idss
f=
在1dB压缩功率附加效率
VDS = 8 V ， IDS = 50 ％的Idss
f=
饱和漏极电流
跨
捏-O FF电压
漏极耐压
源极击穿电压
热阻
2.0 GHz的
4.0 GHz的
2.0 GHz的
4.0 GHz的
2.0 GHz的
1200
840
民
33.5
15.5
典型值
35.5
35.5
17.0
12.0
36
2040
1100
-2.0
-13
-7
-15
-14
6*
o
最大
单位
DBM
dB
%
V
DS
= 3 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 3 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 3 V，I
DS
= 10毫安
I
GD
= 7.2毫安
I
GS
= 7.2毫安
2640
mA
mS
-3.5
V
V
V
C / W
注意事项：
*
总体的Rth取决于安装的情况下。
最大额定值在25
O
C
符号
VDS
VGS
Igsf
Igsr
针
总胆固醇
TSTG
Pt
参数
漏源电压
栅源电压
正向栅电流
储备栅电流
输入功率
通道温度
储存温度
总功耗
绝对
1
12V
-5V
32.4毫安
5.4毫安
32.5 dBm的
175
o
C
-65/175
o
C
20 W
连续
2
8V
-3V
10.8毫安
1.8毫安
@ 3分贝压缩
175
o
C
-65/175
o
C
20 W
注：1，超过任何上述的评分可能导致永久性损伤。
2.任何超出上述评级的可能减少到低于设计目标MTTF 。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
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电话： 408-737-1711传真： 408-737-1868网址：
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修订后的2006年1月
EXCELICS [ EXCELICS SEMICONDUCTOR, INC. ]
