Excelics
数据表
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+ 36.5dBm典型输出功率
16.0分贝典型功率增益为2GHz
0.5 X 9600 MICRON RECESSED
“蘑菇”门
Si
3
N
4
钝化和镀HEAT SINK
先进的外延掺杂分布
可提供高功率效率，
线性度和可靠性
IDSS排序160毫安PER BIN范围
'
EFA960B
低失真功率的GaAs FET
'
'
'
6
*
6
*
6
*
6
*
6
电气特性（T
a
= 25
O
C)
符号
P
1dB
G
1dB
PAE
IDSS
Gm
Vp
BVgd
BVgs
RTH
参数/测试条件
在1dB压缩输出功率
F = 2GHz的
VDS = 8V ， IDS = 50 ％的Idss
F = 4GHz的
增益1dB压缩
F = 2GHz的
VDS = 8V ， IDS = 50 ％的Idss
F = 4GHz的
在1dB压缩功率附加效率
VDS = 8V ， IDS = 50 ％的Idss
F = 2GHz的
饱和漏极电流
跨
捏-O FF电压
VDS = 3V ， VGS = 0V
VDS = 3V ， VGS = 0V
VDS = 3V ，IDS = 25毫安
芯片厚度： 50
±
10微米
（有> 20微米镀金散热器（ PHS） ）
以微米所有尺寸
民
35.0
15.0
典型值
36.5
36.5
16.5
11.5
34
最大
单位
DBM
dB
%
1600
1100
2720
1450
-2.0
3520
mA
mS
-3.5
V
V
V
o
漏极耐压IGD = 9.6毫安
源极击穿电压的Ig = 9.6毫安
热电阻（的Au-Sn共晶附在后面）
-12
-7
-15
-14
5
C / W
最大额定值在25
O
C
符号
参数
绝对
1
连续
2
漏源电压
12V
8V
VDS
栅源电压
-8V
-4V
VGS
漏电流
IDSS
2.8A
IDS
正向栅电流
240mA
40mA
Igsf
输入功率
35dBm
@ 3分贝压缩
针
通道温度
175
o
C
150
o
C
总胆固醇
储存温度
-65/175
o
C
-65/150
o
C
TSTG
总功耗
27 W
23 W
Pt
注：1，超过任何上述的评分可能导致永久性损伤。
2.任何超出上述评级的可能减少到低于设计目标MTTF 。
Excelics半导体公司， 2908斯科特大道，圣克拉拉， CA 95054
电话： （ 408 ） 970-8664传真： （ 408 ） 970-8998网址： www.excelics.com
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