Excelics
初步数据表
EFB025A
420
50
104
通用砷化镓场效应管
•
•
•
•
•
•
•
+ 18.5dBm典型输出功率
11.0分贝典型功率增益为12 GHz
典型1.3分贝噪声系数和11分贝ASSOCIATED
增益为12 GHz
0.3 X 250微米嵌“蘑菇”门
Si
3
N
4
钝化
先进的外延掺杂分布
可提供高功率效率，
线性度和可靠性
IDSS排序5毫安PER BIN范围
D
D
48
260
40
S
G
G
S
90
59
50
78
芯片厚度： 75
±
13微米
以微米所有尺寸
电气特性（T
a
= 25
O
C)
符号
P
1dB
G
1dB
NF
G
A
IDSS
Gm
Vp
BVgd
BVgs
RTH
参数/测试条件
在1dB压缩输出功率
VDS = 6V ， IDS = 50 ％的Idss
增益1dB压缩
VDS = 6V ， IDS = 50 ％的Idss
噪声系数的Vds = 3V ，IDS = 15毫安
相关的增益的Vds = 3V ，IDS = 15毫安
跨
捏-O FF电压
f=12GHz
f=18GHz
f=12GHz
f=18GHz
f=12GHz
f=12GHz
35
40
-5.5
-5.5
9
民
17
典型值
18.5
18.5
11
9
1.3
11
65
60
-1.5
-8.5
-8.5
155
o
最大
单位
DBM
dB
dB
dB
饱和漏极电流VDS = 3V ， VGS = 0V
VDS = 3V ， VGS = 0V
VDS = 3V ，IDS = 1.0毫安
105
-3.0
mA
mS
V
V
V
C / W
漏极耐压IGD = 100uA的
源极击穿电压的Ig = 100uA的
热电阻（的Au-Sn共晶附在后面）
最大额定值在25
O
C
符号
参数
VDS
VGS
IDS
漏源电压
栅源电压
漏电流
绝对
1
10V
-6V
IDSS
连续
2
6V
-4V
IDSS
正向栅电流
6mA
1mA
Igsf
输入功率
16dBm
@ 3分贝压缩
针
o
通道温度
175 C
150
o
C
总胆固醇
储存温度
-65/175
o
C
-65/150
o
C
TSTG
总功耗
880mW
730mW
Pt
注：1，超过任何上述的评分可能导致永久性损伤。
2.任何超出上述评级的可能减少到低于设计目标MTTF 。
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