Excelics
初步数据表
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+ 25.0dBm典型输出功率
10.5分贝典型功率增益为12 GHz
高BVgd FOR 10V偏压
0.3× 600 MICRON嵌“蘑菇”门
Si
3
N
4
钝化
先进的外延掺杂分布
可提供高功率效率，
线性度和可靠性
IDSS排序10毫安PER BIN范围
EFC060B
低失真功率的GaAs FET
350
50
D
48
350
100
40
S
G
S
95
50
电气特性（T
a
= 25
O
C)
符号
P
1dB
G
1dB
PAE
IDSS
Gm
Vp
BVgd
BVgs
RTH
参数/测试条件
在1dB压缩输出功率
f=12GHz
VDS = 10V ， IDS = 50 ％的Idss
f=18GHz
增益1dB压缩
f=12GHz
VDS = 10V ， IDS = 50 ％的Idss
f=18GHz
在1dB压缩功率附加效率
的Vds = 10V，的Idss = 50％的Idss
f=12GHz
饱和漏极电流
跨
捏-O FF电压
VDS = 3V ， VGS = 0V
VDS = 3V ， VGS = 0V
VDS = 3V ，IDS = 1.5毫安
芯片厚度： 75
±
13微米
以微米所有尺寸
民
23.0
9.0
典型值
25.0
25.0
10.5
8.0
35
最大
单位
DBM
dB
%
80
50
130
70
-2.5
180
mA
mS
-4.0
V
V
V
o
漏极耐压IGD = 1.0毫安
源极击穿电压的Ig = 1.0毫安
热电阻（的Au-Sn共晶附在后面）
-15
-10
-20
-17
75
C / W
最大额定值在25
O
C
符号
参数
绝对
1
连续
2
漏源电压
14V
10V
VDS
栅源电压
-8V
-4.5V
VGS
漏电流
IDSS
150mA
IDS
正向栅电流
15mA
2.5mA
Igsf
输入功率
23dBm
@ 3分贝压缩
针
通道温度
175
o
C
150
o
C
总胆固醇
储存温度
-65/175
o
C
-65/150
o
C
TSTG
总功耗
1.8W
1.5W
Pt
注：1，超过任何上述的评分可能导致永久性损伤。
2.任何超出上述评级的可能减少到低于设计目标MTTF 。
Excelics半导体公司， 2908斯科特大道，圣克拉拉， CA 95054
电话： （ 408 ） 970-8664传真： （ 408 ） 970-8998网址： www.excelics.com
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