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EIA5060-1S 参数 Datasheet PDF下载

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型号: EIA5060-1S
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内容描述: 5.0-6.0GHz , 1W内部匹配功率场效应管 [5.0-6.0GHz, 1W Internally Matched Power FET]
分类和应用:
文件页数/大小: 1 页 / 33 K
品牌: EXCELICS [ EXCELICS SEMICONDUCTOR, INC. ]
   
Excelics
试验数据表
EIA5060-1S
5.0-6.0GHz , 1W内部匹配功率场效应管
5.0-6.0GHz带宽和输入/输出
阻抗相匹配的50欧姆
具有较高的PAE ( 35 %典型值)
31.0dBm典型P
1dB
输出功率
13分贝通常g
1dB
功率增益
非气密180 MIL金属法兰
电气特性(T
a
= 25
O
C)
EIA0506-1P180F
符号
参数/测试条件
在1dB压缩输出功率F = 5.0-6.0GHz
VDS = 8V , Idsq = 0.5时的Idss
增益1dB压缩
VDS = 8V , Idsq = 0.5时的Idss
f=5.0-6.0GHz
29.5
11
典型值
31.0
13
最大
单位
DBM
dB
P
1dB
G
1dB
PAE
Id
1dB
IP
3
I
DSS
G
m
V
p
BV
gd
R
th
在1分贝压缩f电源附加效率= 5.0 -
6.0GHz
VDS = 8V , Idsq = 0.5时的Idss
漏电流在1dB压缩
输出3
rd
阶截取点
VDS = 8V , Idsq = 0.5时的Idss
f=5.0-6.0GHz
550
35
440
37
720
760
-1.0
-13
-15
16
o
%
mA
DBM
850
mA
mS
-2.5
V
V
C / W
饱和漏极电流VDS = 3V , VGS = 0V
捏-O FF电压
VDS = 3V , VGS = 0V
VDS = 3V ,IDS = 6毫安
漏极耐压IGD = 4.8毫安
热电阻(的Au-Sn共晶附在后面)
最大额定值在25
O
C
符号
VDS
VGS
IDS
Igsf
总胆固醇
TSTG
Pt
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
正向栅电流
输入功率
通道温度
储存温度
总功耗
绝对
1
12V
-8V
IDSS
90mA
29dBm
175 C
-65/175
o
C
8.5W
o
连续
2
8V
-3V
IDSS
15mA
@ 3分贝压缩
150
o
C
-65/150
o
C
7.1W
注:1,超过任何上述的评分可能导致永久性损伤。
2.任何超出上述评级的可能减少到低于设计目标MTTF 。
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电话: ( 408 ) 970-8664传真: ( 408 ) 970-8998网址: www.excelics.com