EIC0910-2
已更新2007年8月21日
9.50-10.50GHz 2瓦内部匹配功率FET
性能数据
典型的S参数（T = 25℃ ， 50Ω系统，解嵌入到封装的边缘）
V
DS
= 10 V，I
DSQ
= 550毫安
S11和S22
0.
SWP最大
11GHz
2.
0
1.0
0.8
20
S21和S12
-1.0
-0.8
-0
6
.6
-3
.0
-10.0
10.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
0
-0
.4
.6
-0.8
S[2,2] *
EIC0910-2
0.8
-0
.0
-2
S[1,1] *
EIC0910-2
2.
0
0.
4
SWP敏
9GHz
-1.0
频率
（千兆赫）
8.75
9.00
9.25
9.50
9.75
10.00
10.25
10.50
10.75
11.00
11.25
--- S11 ---
MAG
0.801
0.748
0.650
0.522
0.364
0.229
0.227
0.309
0.369
0.399
0.402
昂
-144.750
-164.560
171.690
141.280
101.620
42.070
-31.690
-80.620
-111.080
-134.340
-154.030
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
Excelics半导体公司310德Guigne车道，桑尼维尔，CA 94085
电话： 408-737-1711传真： 408-737-1868网址：
www.excelics.com
-4
.0
-5.
0
2
-0.
-10.0
2
-0.
-5.
0
5.0
S21和S12 （ dB）的
-4
.0
0.2
-3
.0
-0
.0
-2
0
3.
10
4.
0
.4
0.
4
0
DB （ | S [ 2,1 ] | ） *
EIC0910-2
DB（ | S [1,2] | ） *
EIC0910-2
10.0
-10
10.0
0
3.
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
4.
5.0
10.0
0.2
-20
-30
9
9.5
10
频率（GHz ）
10.5
11
0.
6
1.0
--- S21 ---
MAG
1.666
1.962
2.305
2.669
2.943
3.009
2.929
2.712
2.470
2.254
2.085
昂
55.890
36.560
14.740
-10.520
-38.640
-67.750
-95.780
-122.110
-146.280
-168.390
170.040
--- S12 ---
MAG
0.045
0.059
0.076
0.098
0.117
0.130
0.134
0.132
0.126
0.123
0.117
昂
10.590
-9.970
-32.680
-58.510
-86.820
-115.840
-143.460
-168.960
168.060
146.710
126.180
--- S22 ---
MAG
0.698
0.658
0.600
0.516
0.405
0.288
0.223
0.232
0.276
0.329
0.377
昂
-25.380
-39.760
-57.400
-79.320
-107.410
-144.010
167.180
122.730
93.950
75.830
62.360
第2页4
修订后的2007年10月
EXCELICS [ EXCELICS SEMICONDUCTOR, INC. ]
