EIC1213-4
已更新2007年8月21日
12.70-13.20GHz 4瓦内部匹配功率FET
功率降容曲线和IM3定义
功耗与温度的关系
30
三阶
截取点IP3
25
总功耗（ W）
潜在的不安全
工作区
IP
3
=噘+ IM3 / 2
F1或F2
20
的Pout 〔 S.C.L. ] （ dBm的）
15
安全工作
地区
噘
针
IM3
10
IM3
f1 f2
(2f1-f2) f1 f2 (2f2-f1)
5
（ 2F2 - 为f1 ）或（ 2F1 - f2）上
0
0
25
50
75
100
125
外壳温度（ ° C）
150
175
销[ S.C.L. ] （ DBM）
典型的电力数据（V
DS
= 10 V，I
DSQ
= 1100毫安）
38
37
典型的IM3数据（V
DS
= 10 V,
I
DSQ
≈
65％的智能决策支持系统
)
9
8
P- 1分贝& G- 1分贝与频率
IM3与输出功率
-15
-20
-25
-30
-35
-40
-45
-50
-55
-60
-65
F1 = 13.20千兆赫， F2 = 13.21 GHz的
P- 1分贝（ DBM）
G- 1分贝（分贝）
36
35
34
P- 1分贝（ DBM）
33
12.6
12.7
12.8
12.9
13.0
13.1
G- 1分贝（分贝）
13.2
7
6
5
4
13.3
IM3 （ DBC）
IM3 （ DBC）
19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33
频率（GHz ）
的Pout 〔 S.C.L. ] （ dBm的）
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
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修订后的2007年10月
EXCELICS [ EXCELICS SEMICONDUCTOR, INC. ]
