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EIC3439-4 参数 Datasheet PDF下载

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型号: EIC3439-4
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内容描述: 3.40-3.90GHz 4瓦内部匹配功率场效应管 [3.40-3.90GHz 4-Watt Internally Matched Power FET]
分类和应用:
文件页数/大小: 2 页 / 120 K
品牌: EXCELICS [ EXCELICS SEMICONDUCTOR, INC. ]
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EIC3439-4
签发日期为:二○○七年十一月一十二日
3.40-3.90GHz 4瓦内部匹配功率场效应管
特点
3.40-3.90GHz带宽
输入/输出阻抗相匹配的50欧姆
在1dB压缩36.5 dBm的输出功率
12.0分贝功率增益1dB压缩
35 %的功率附加效率
-46 dBc的IM3在PO = 25.5 dBm的SCL
100 %测试DC, RF ,和R
TH
电气特性(T
a
= 25°C)
符号
P
1dB
G
1dB
∆G
PAE
Id
1dB
IM3
I
DSS
V
P
R
TH
参数/测试条件
1
在1dB压缩输出功率
F = 3.40-3.90GHz
V
DS
= 10 V,I
DSQ
1100mA
增益1dB压缩
F = 3.40-3.90GHz
V
DS
= 10 V,I
DSQ
1100mA
增益平坦度
F = 3.40-3.90GHz
V
DS
= 10 V,I
DSQ
1100mA
在1dB压缩功率附加效率
F = 3.40-3.90GHz
V
DS
= 10 V,I
DSQ
1100mA
漏电流在1dB压缩
F = 3.40-3.90GHz
输出3阶互调失真
2
∆f
= 10 MHz的2音测试; POUT = 25.5 dBm的S.C.L
V
DS
= 10 V,I
DSQ
65%的智能决策支持系统
F = 3.90GHz
饱和漏极电流
V
DS
= 3 V, V
GS
= 0 V
捏-O FF电压
热阻
3
注意! ESD敏感器件。
35.5
11.0
典型值
36.5
12.0
最大
单位
DBM
dB
±0.6
35
1200
-43
-46
2000
-2.5
5.5
2500
-4.0
6.0
o
dB
%
1500
mA
dBc的
mA
V
C / W
V
DS
= 3 V,I
DS
= 20毫安
注: 1。测试与100欧姆的栅极电阻。
2. S.C.L. =单载波电平。
3.总体的Rth取决于安装的情况下。
绝对最大额定EFE
符号
参数
漏源电压
栅源电压
正向栅电流
反向栅电流
输入功率
通道温度
储存温度
总功耗
绝对
1
15V
-5V
48.0毫安
-9.6毫安
35.5dBm
o
175 C
o
-65到+175 ç
连续
2
10V
-4V
14.4毫安
-2.4毫安
@ 3分贝压缩
175
o
C
-65到+175
o
C
25W
V
DS
V
GS
Igsf
Igsr
总胆固醇
TSTG
Pt
25W
注:1,超过任何上述的评分可能导致永久性损伤。
2.任何超出上述评级的可能减少到低于设计目标MTTF 。
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
Excelics半导体公司310德Guigne车道,桑尼维尔,CA 94085
第1页2
电话: 408-737-1711传真: 408-737-1868网址:
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修订后的2007年11月