EIC4953-8
2008年2月28日签发
4.90-5.30 GHz的8瓦内部匹配功率场效应管
特点
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4.90-5.30GHz带宽
输入/输出阻抗相匹配的50欧姆
在1dB压缩39.5 dBm的输出功率
10.5分贝功率增益1dB压缩
35 ％的功率附加效率
-46 dBc的IM3宝= 28.5 dBm的SCL
100 ％测试DC， RF ，和R
TH
电气特性（T
a
= 25°C)
符号
P
1dB
G
1dB
∆G
PAE
Id
1dB
IM3
I
DSS
V
P
R
TH
参数/测试条件
1
在1dB压缩输出功率
F = 4.90-5.30GHz
V
DS
= 10 V，I
DSQ
≈
2200mA
增益1dB压缩
F = 4.90-5.30GHz
V
DS
= 10 V，I
DSQ
≈
2200mA
增益平坦度
F = 4.90-5.30GHz
V
DS
= 10 V，I
DSQ
≈
2200mA
在1dB压缩功率附加效率
F = 4.90-5.30GHz
V
DS
= 10 V，I
DSQ
≈
2200mA
漏电流在1dB压缩
F = 4.90-5.30GHz
输出3阶互调失真
∆f=10MHz
2音测试。 POUT = 28.5 dBm的S.C.L
VDS = 10 V，I
DSQ
≈
65% I
DSS
F = 5.30GHz
饱和漏极电流
捏-O FF电压
热阻
3
2. S.C.L. =单载波电平。
注意！ ESD敏感器件。
民
38.5
9.5
典型值
39.5
10.5
最大
单位
DBM
dB
±0.6
35
2300
-43
-46
4000
-2.5
3.5
5000
-4.0
4.0
o
dB
%
2600
mA
dBc的
mA
V
C / W
V
DS
= 3 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 3 V，I
DS
= 40毫安
注： 1。测试与100欧姆的栅极电阻。
3.总体的Rth取决于安装的情况下。
绝对最大额定值
1,2
符号
参数
漏源电压
栅源电压
正向栅电流
反向栅电流
输入功率
通道温度
储存温度
总功耗
绝对
1
15
-5
86.4mA
-14.4mA
38.5dBm
175
o
C
-65到+175
o
C
38W
连续
2
10V
-4.5V
28.8mA
-4.8mA
@ 3分贝压缩
175
o
C
-65到+175
o
C
38W
VDS
VGS
Igsf
Igsr
针
总胆固醇
TSTG
Pt
注：1，超过任何上述的评分可能导致永久性损伤。
2.任何超出上述评级的可能减少到低于设计目标MTTF 。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
Excelics半导体公司310德Guigne车道，桑尼维尔，CA 94085
电话： 408-737-1711传真： 408-737-1868网址：
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修订后的2008年2月
EXCELICS [ EXCELICS SEMICONDUCTOR, INC. ]
