EIC7785-5
已更新2007年8月21日
7.70-8.50GHz
5瓦内部匹配功率FET
功率降容曲线和IM3定义
功耗与温度的关系
30
三阶
截取点IP3
25
总功耗( W)
潜在的不安全
工作区
IP
3
=噘+ IM3 / 2
F1或F2
20
的Pout 〔 S.C.L. ] ( dBm的)
噘
针
IM3
15
安全工作
地区
10
IM3
f1 f2
(2f1-f2) f1 f2 (2f2-f1)
5
( 2F2 - 为f1 )或( 2F1 - f2)上
0
0
25
50
75
100
125
外壳温度( ° C)
150
175
销[ S.C.L. ] ( DBM)
典型的电力数据(V
DS
= 10 V,I
DSQ
= 1600 mA)的
39
38
典型的IM3数据(V
DS
= 10 V,
I
DSQ
≈
65%的智能决策支持系统
)
11
10
P- 1分贝& G- 1分贝与频率
IM3与输出功率
-15
-20
-25
F1 = 8.50千兆赫, F2 = 8.51 GHz的
P- 1分贝( DBM)
G- 1分贝(分贝)
37
36
35
P- 1分贝( DBM)
34
7.6
7.8
8.0
8.2
8.4
8.6
G- 1分贝(分贝)
9
8
7
6
IM3 ( DBC)
-30
-35
-40
-45
-50
-55
-60
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
IM3 ( DBC)
频率(GHz )
的Pout 〔 S.C.L. ] ( dBm的)
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
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修订后的2007年10月