EIC8596-2
已更新2007年7月25日
8.50-9.60 GHz的2瓦内部匹配功率FET
特点
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8.50-9.60GHz带宽
输入/输出阻抗相匹配的50欧姆
在1dB压缩33.5 dBm的输出功率
8.0分贝功率增益1dB压缩
30 ％的功率附加效率
-46 dBc的IM3在PO = 22.5 dBm的SCL
100 ％测试DC， RF ，和R
TH
电气特性（T
a
= 25°C)
符号
P
1dB
G
1dB
∆G
PAE
Id
1dB
IM3
I
DSS
V
P
R
TH
注意事项：
1.
2.
3.
参数/测试条件
1
在1dB压缩输出功率
F = 8.50-9.60GHz
V
DS
= 10 V，I
DSQ
≈
550mA
增益1dB压缩
F = 8.50-9.60GHz
V
DS
= 10 V，I
DSQ
≈
550mA
增益平坦度
F = 8.50-9.60GHz
V
DS
= 10 V，I
DSQ
≈
550mA
在1dB压缩功率附加效率
F = 8.50-9.60GHz
V
DS
= 10 V，I
DSQ
≈
550mA
漏电流在1dB压缩
F = 8.50-9.60GHz
输出3阶互调失真
∆f
= 10 MHz的2音测试; POUT = 22.5 dBm的S.C.L
2
V
DS
= 10 V，I
DSQ
≈
65％的智能决策支持系统
F = 9.60GHz
饱和漏极电流
捏-O FF电压
热阻
3
经测试，100欧姆的栅极电阻。
S.C.L. =单载波电平。
总体的Rth取决于安装的情况下。
民
32.5
7.0
典型值
33.5
8.0
±0.6
30
600
最大
单位
DBM
dB
+ 0.8
dB
%
700
mA
dBc的
-43
-46
1000
-2.5
11
1250
-4.0
12
V
DS
= 3 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 3 V，I
DS
= 10毫安
mA
V
o
C / W
最大的在25
°C
1,2
符号
参数
漏源电压
栅源电压
正向栅电流
反向栅电流
输入功率
通道温度
储存温度
总功耗
绝对
1
15
-5
21.6mA
-3.6mA
32.5dBm
175
o
C
-65到+175
o
C
12.5W
连续
2
10V
-4V
7.2mA
-1.2mA
@ 3分贝压缩
175
o
C
-65到+175
o
C
12.5W
VDS
VGS
Igsf
Igsr
针
总胆固醇
TSTG
Pt
注：1，超过任何上述的评分可能导致永久性损伤。
2.任何超出上述评级的可能减少到低于设计目标MTTF 。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
Excelics半导体公司310德Guigne车道，桑尼维尔，CA 94085
电话： 408-737-1711传真： 408-737-1868网址：
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修订后的2007年7月
EXCELICS [ EXCELICS SEMICONDUCTOR, INC. ]
