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EIC8596-12 参数 Datasheet PDF下载

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型号: EIC8596-12
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内容描述: 8.50-9.60 GHz的12瓦内部匹配功率场效应管 [8.50-9.60 GHz 12-Watt Internally Matched Power FET]
分类和应用:
文件页数/大小: 2 页 / 97 K
品牌: EXCELICS [ EXCELICS SEMICONDUCTOR, INC. ]
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EIC8596-12
已更新2007年7月25日
8.50-9.60 GHz的12瓦内部匹配功率场效应管
特点
8.50- 9.60GHz带宽
输入/输出阻抗相匹配的50欧姆
在1dB压缩41.5 dBm的输出功率
7.0分贝功率增益1dB压缩
34 %的功率附加效率
-46 dBc的IM3在PO = 30.5 dBm的SCL
100 %测试DC, RF ,和R
TH
电气特性(T
a
= 25°C)
符号
P
1dB
G
1dB
∆G
PAE
Id
1dB
IM3
I
DSS
V
P
R
TH
参数/测试条件
1
在1dB压缩输出功率
F = 8.50-9.60GHz
V
DS
= 10 V,I
DSQ
3200mA
增益1dB压缩
F = 8.50-9.60GHz
V
DS
= 10 V,I
DSQ
3200mA
增益平坦度
F = 8.50-9.60GHz
V
DS
= 10 V,I
DSQ
3200mA
在1dB压缩功率附加效率
F = 8.50-9.60GHz
V
DS
= 10 V,I
DSQ
3200mA
漏电流在1dB压缩
F = 8.50-9.60GHz
-43
输出3阶互调失真
∆f
= 10 MHz的2音测试; POUT = 30.5 dBm的S.C.L
2
V
DS
= 10 V,I
DSQ
65%的智能决策支持系统
F = 9.60GHz
饱和漏极电流
捏-O FF电压
热阻
3
V
DS
= 3 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 3 V,I
DS
= 62毫安
40.5
6.0
典型值
41.5
7.0
最大
单位
DBM
dB
±0.6
34
3300
-46
6200
-2.5
2.5
7800
-4.0
3.0
o
dB
%
3700
mA
dBc的
mA
V
C / W
注: 1。测试与50欧姆的栅极电阻。
2. S.C.L. =单载波电平。
3.总体的Rth取决于安装的情况下。
绝对最大额定值
1,2
符号
参数
漏源电压
栅源电压
正向栅电流
储备栅电流
输入功率
通道温度
储存温度
总功耗
绝对
1
15
-5
129.6mA
-21.6mA
40.5dBm
175 C
-65到+175
o
C
50W
o
连续
2
10V
-3V
43.2mA
-7.2mA
@ 3分贝压缩
175
o
C
-65到+175
o
C
50W
VDS
VGS
Igsf
Igsr
总胆固醇
TSTG
Pt
注:1,超过任何上述的评分可能导致永久性损伤。
2.任何超出上述评级的可能减少到低于设计目标MTTF 。
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
Excelics半导体公司310德Guigne车道,桑尼维尔,CA 94085
电话: 408-737-1711传真: 408-737-1868网址:
www.excelics.com
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修订后的2007年7月