EID1616-3
更新时间： 2008年7月24日
16.2-16.5 GHz的3瓦的内部匹配功率FET
特点
•
16.2-16.5 GHz的带宽
•
输入/输出阻抗相匹配的50欧姆
•
在1dB压缩35.0 dBm的输出功率
•
6.0分贝功率增益1dB压缩
•
25 ％的功率附加效率
•
全封闭金属法兰包装
•
100 ％测试DC， RF ，和R
TH
.060 MIN 。
Excelics
EID1616-3
.060 MIN 。
.650±.008 .512
门
漏
.319
YYWW
SN
.094
.382
.022
.045
.004
.070 ±.008
.129
以英寸所有尺寸
电气特性（T
a
= 25°C)
符号
参数/测试条件
在1dB压缩输出功率
F = 16.2-16.5GHz
V
DS
= 10 V，I
DSQ
≈
1200mA
增益1dB压缩
F = 16.2-16.5GHz
V
DS
= 10 V，I
DSQ
≈
1200mA
增益平坦度
F = 16.2-16.5GHz
V
DS
= 10 V，I
DSQ
≈
1200mA
在1dB压缩功率附加效率
F = 16.2-16.5GHz
V
DS
= 10 V，I
DSQ
≈
1200mA
漏电流在1dB压缩
饱和漏极电流
捏-O FF电压
热阻
2
F = 16.2-16.5GHz
V
DS
= 3 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 3 V，I
DS
= 20毫安
1
注意！ ESD敏感器件。
民
34.5
5.0
典型值
35.0
6.0
±0.6
25
700
1100
-2.5
8.5
900
1500
-4.0
10.5
o
最大
单位
DBM
dB
dB
%
mA
mA
V
C / W
P
1dB
G
1dB
∆G
PAE
Id
1dB
I
DSS
V
P
R
TH
注：1。测试与100欧姆的栅极电阻。
2.总体的Rth取决于安装的情况下。
绝对最大额定值为连续运行
1,2
符号
V
DS
V
GS
I
DS
I
GSF
P
IN
P
T
T
CH
T
英镑
特征
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
正向栅电流
输入功率
总功耗
通道温度
储存温度
价值
10 V
-4.5 V
IDSS
20毫安
@ 3分贝压缩
11.5 W
150°C
-65/+150°C
注：1，超过任何上述的评分可能导致永久性损伤。
2.任何超出上述评级的可能减少到低于设计目标MTTF 。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
Excelics半导体公司310德Guigne车道，桑尼维尔，CA 94085
电话： 408-737-1711传真： 408-737-1868网址：
www.excelics.com
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修订后的2008年7月
EXCELICS [ EXCELICS SEMICONDUCTOR, INC. ]
