EID8596A1-12
已更新07/12/2007
8.50 - 9.60 GHz的12瓦内部匹配功率FET
特点
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8.50 - 9.60 GHz的带宽
输入/输出阻抗相匹配的50欧姆
在1dB压缩41.5 dBm的输出功率
9.0分贝功率增益1dB压缩
35 ％的功率附加效率
全封闭金属法兰包装
100 ％测试DC， RF ，和R
TH
描述
该EID8596A1-12是一款高功率，高线性，
在一个凸缘的单级MFET放大器安装
封装。该放大器具有Excelics独特
PHEMT晶体管技术。
注意！ ESD敏感器件。
电气特性（T
a
= 25°C)
符号
P
1dB
G
1dB
∆G
PAE
Id
1dB
I
DSS
V
P
R
TH
参数/测试条件
1
在1dB压缩输出功率F = 8.50-9.60GHz
V
DS
= 10 V，I
DSQ
≈
3600mA
增益1dB压缩
F = 8.50-9.60GHz
V
DS
= 10 V，I
DSQ
≈
3600mA
增益平坦度
F = 8.50-9.60GHz
V
DS
= 10 V，I
DSQ
≈
3600mA
在1dB压缩功率附加效率
V
DS
= 10 V，I
DSQ
≈
3600mA
F = 8.50-9.60GHz
漏电流在1dB压缩F = 8.50-9.60GHz
饱和漏极电流
捏-O FF电压
热阻
2
V
DS
= 3 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 3 V，I
DS
= 60毫安
民
40.5
8.0
典型值
41.5
9.0
±0.6
35
4000
6500
-1.2
2.5
4600
7500
-2.5
3.0
o
最大
单位
DBM
dB
dB
%
mA
mA
V
C / W
注意事项：
1.测试与50欧姆的栅极电阻。
2.总体的Rth取决于安装的情况下。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
Excelics半导体公司310德Guigne车道，桑尼维尔，CA 94085
电话： 408-737-1711传真： 408-737-1868网址：
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修订后的2007年7月
EXCELICS [ EXCELICS SEMICONDUCTOR, INC. ]
