Excelics
数据表
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非密封的低成本陶瓷70mil包装
+ 20.0dBm典型输出功率
11.0分贝典型功率增益AT 18GHz的
典型0.75分贝的噪声系数和相关的12.5分贝
增益为12 GHz
0.3 ×180 MICRON嵌“蘑菇”门
Si
3
N
4
钝化
先进的外延异质结简介
提供了额外的高功率效率，
和高可靠性
EPA018A-70
高效异质结功率FET
20
D
44
19
4
180分钟。
（所有引线）
S
S
40
G
所有尺寸在密耳。
电气特性（T
a
= 25
O
C)
符号
P
1dB
G
1dB
PAE
NF
Ga
IDSS
Gm
Vp
BVgd
BVgs
RTH
参数/测试条件
在1dB压缩输出功率
VDS = 6V ， IDS = 50 ％的Idss
增益1dB压缩
VDS = 6V ， IDS = 50 ％的Idss
在1dB压缩功率附加效率
VDS = 6V ， IDS = 50 ％的Idss
噪声系数
VDS = 2V ，IDS = 15毫安
相关的增益
VDS = 2V ，IDS = 15毫安
饱和漏极电流
跨
捏-O FF电压
VDS = 3V ， VGS = 0V
VDS = 3V ， VGS = 0V
VDS = 3V ，IDS = 1.0毫安
-9
-6
f=12GHz
f=18GHz
f=12GHz
f=18GHz
f=12GHz
f=12GHz
f=12GHz
30
35
民
18.5
11.0
典型值
20.0
20.0
13.5
11.0
45
0.75
12.5
55
60
-1.0
-15
-14
480
*
o
最大
单位
DBM
dB
%
dB
dB
80
mA
mS
-2.5
V
V
V
C / W
漏极耐压IGD = 1.0毫安
源极击穿电压的Ig = 1.0毫安
热阻
*整体的Rth取决于安装的情况下。
最大额定值在25
O
C
符号
参数
绝对
1
连续
2
VDS
漏源电压
10V
6V
VGS
栅源电压
-6V
-3V
IDS
漏电流
IDSS
40mA
Igsf
正向栅电流
9mA
1.5mA
针
输入功率
16dBm
@ 3分贝压缩
o
总胆固醇
通道温度
175 C
150
o
C
TSTG
储存温度
-65/175
o
C
-65/150
o
C
Pt
总功耗
285mW
240mW
注： 1超过任何上述的评分可能导致永久性损伤。
2.任何超出上述评级的可能减少到低于设计目标MTTF 。
Excelics半导体公司， 2908斯科特大道，圣克拉拉， CA 95054
电话： （ 408 ） 970-8664传真： （ 408 ） 970-8998网站：
www.excelics.com
70
EXCELICS [ EXCELICS SEMICONDUCTOR, INC. ]
