EPA018B
2007年11月1日签发
高效异质结功率FET
特点
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非常高的fmax ： 120GHz
+ 20.0dBm典型输出功率
13.0分贝典型功率增益为18 GHz的
典型0.75分贝的噪声系数和12.5分贝
相关的增益AT 12GHz的
0.3 ×180 MICRON嵌“蘑菇”门
Si
3
N
4
钝化
先进的外延异质结
简介提供了额外的大功率
效率高，可靠性高
IDSS排序5毫安PER BIN范围
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芯片厚度： 75 ± 13微米
以微米所有尺寸
电气特性（T
a
= 25°C)
符号
P
1dB
G
1dB
PAE
NF
Ga
I
DSS
G
M
V
P
BV
GD
BV
GS
R
TH
参数/测试条件
1
在1dB压缩输出功率
V
DS
= 6 V，I
DS
≈
50 ％的Idss
增益1dB压缩
V
DS
= 6 V，I
DS
≈
50 ％的Idss
注意！ ESD敏感器件。
民
F = 12GHz的
F = 18GHz的
F = 12GHz的
F = 18GHz的
f=12Ghz
18.0
13.0
典型值
20.0*
20.0*
14.5
13.0
48
0.75
12.5
%
dB
dB
80
-2.5
mA
mS
V
V
V
o
最大
单位
DBM
dB
在1dB压缩Vds的功率附加效率= 6V ， IDS = 50 ％的Idss
噪声系数， F = 12GHz的
V
DS
= 2 V，I
DS
≈
15毫安
相关的增益， F = 12GHz的
V
DS
= 2 V，I
DS
≈
15毫安
饱和漏极电流
跨
捏-O FF电压
漏极耐压
源极击穿电压
V
DS
=3 V, V
GS
= 0 V
V
DS
=3 V, V
GS
= 0 V
30
35
-9
-7
55
60
-1.0
-15
-14
185
V
DS
= 3 V，I
DS
= 1.0毫安
I
GD
- 0.5毫安
I
GS
- 0.5毫安
热电阻（的Au-Sn共晶附在后面）
C / W
*的P1dB = 21.5dBm可以用8V / 50％的Idss偏压获得。咨询工厂的晶圆选择。
在25 °C最大额定值
符号
VDS
V
GS
IDS
I
GSF
P
IN
T
CH
T
英镑
P
T
特征
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
正向栅电流
输入功率
通道温度
储存温度
总功耗
绝对
1
12V
-8V
IDSS
9mA
16dBm
175°C
-65/175°C
740mW
连续
2
6V
-3V
IDSS
1.5毫安
@ 3分贝压缩
150°C
-65/150°C
625mW
注：1，超过任何上述的评分可能导致永久性损伤。
2.任何超出上述评级的可能减少到低于设计目标MTTF 。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
Excelics半导体公司310德Guigne车道，桑尼维尔，CA 94085
第1页3
电话： 408-737-1711传真： 408-737-1868网址：
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修订后的2007年11月
EXCELICS [ EXCELICS SEMICONDUCTOR, INC. ]
