EPA018B-70
2007年11月1日签发
高效异质结功率FET
特点
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•
•
•
非密封的低成本陶瓷70mil包装
在1dB压缩20.0 dBm的输出功率
11.0分贝功率增益为18GHz的
典型0.75分贝噪声系数和
12.5分贝相关的增益在12GHz的
0.3 ×180 MICRON嵌“蘑菇”门
Si
3
N
4
钝化
先进的外延异质资料提供
额外的高功率效率和高可靠性
•
•
•
电气特性（T
a
= 25°C)
符号
P
1dB
G
1dB
PAE
NF
GA
I
DSS
G
M
V
P
BV
GD
BV
GS
R
TH
参数/测试条件
在1dB压缩输出功率
V
DS
= 6V ，我
DS
≈
50% I
DSS
增益1dB压缩
V
DS
= 6V ，我
DS
≈
50% I
DSS
在1dB压缩功率附加效率
V
DS
= 6V ，我
DS
≈
50% I
DSS
噪声系数V
DS
= 2V ，我
DS
= 15毫安
副增益V
DS
= 2V ，我
DS
= 15毫安
饱和漏极电流
跨
捏-O FF电压
漏极耐压
源极击穿电压
热阻
F = 12GHz的
F = 18GHz的
F = 12GHz的
F = 18GHz的
F = 12GHz的
F = 12GHz的
F = 12GHz的
注意！ ESD敏感器件。
民
18.5
11.0
典型值
20.0
20.0
13.5
11.0
45
0.75
12.5
30
35
-9
-6
55
60
-1.0
-15
-14
480*
o
最大
单位
DBM
dB
%
dB
dB
V
DS
= 3 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 3 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 3 V，I
DS
= 1.0毫安
I
GD
= 1.0毫安
I
GS
= 1.0毫安
80
-2.5
mA
mS
V
V
V
C / W
注意事项：
*
总体的Rth取决于安装的情况下。
在25 °C最大额定值
1,2
符号
V
DS
V
GS
I
DS
I
GSF
P
IN
P
T
T
CH
T
英镑
1.
2.
特征
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
正向栅电流
输入功率
总功耗
通道温度
储存温度
绝对
12 V
-6 V
IDSS
9毫安
16 dBm的
285毫瓦
175°C
-65/+175°C
1
连续
6V
-3 V
40毫安
1.5毫安
2
@ 3分贝压缩
240毫瓦
150°C
-65/+150°C
超过任何上述的评分可能导致永久性损伤。
超过上述任何收视率可能会降低低于设计目标MTTF 。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
Excelics半导体公司310德Guigne车道，桑尼维尔，CA 94085
第1页2
电话： 408-737-1711传真： 408-737-1868网址：
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修订后的2007年11月
EXCELICS [ EXCELICS SEMICONDUCTOR, INC. ]
