Excelics
数据表
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非常高的fmax ： 120GHz
+ 20.0dBm典型输出功率
13.0分贝典型功率增益为18 GHz的
典型0.75分贝的噪声系数和12.5分贝
相关的增益AT 12GHz的
0.3 ×180 MICRON嵌“蘑菇”门
Si
3
N
4
钝化
先进的外延异质结
简介提供了额外的大功率
效率高，可靠性高
IDSS排序5毫安PER BIN范围
320
60
D
EPA018A
高效异质结功率FET
68
154
290
50
S
G
S
70 80 90
芯片厚度： 75
±
13微米
以微米所有尺寸
电气特性（T
a
= 25
O
C)
符号
P
1dB
G
1dB
PAE
NF
Ga
IDSS
Gm
Vp
BVgd
BVgs
RTH
参数/测试条件
在1dB压缩输出功率
f=12GHz
VDS = 6V ， IDS = 50 ％的Idss
f=18GHz
增益1dB压缩
f=12GHz
VDS = 6V ， IDS = 50 ％的Idss
f=18GHz
在1dB压缩功率附加效率
VDS = 6V ， IDS = 50 ％的Idss
f=12Ghz
噪声系数
f=12GHz
VDS = 2V ，IDS = 15毫安
相关的增益
f=12GHz
VDS = 2V ，IDS = 15毫安
饱和漏极电流
跨
捏-O FF电压
漏极耐压
源极击穿电压
VDS = 3V ， VGS = 0V
VDS = 3V ， VGS = 0V
VDS = 3V ，IDS = 1.0毫安
Igd=0.5mA
Igs=0.5mA
-9
-7
民
18.0
13.0
典型值
20.0*
20.0*
14.5
13.0
48
0.75
12.5
30
35
55
60
-1.0
-15
-14
185
o
最大
单位
DBM
dB
%
dB
dB
80
mA
mS
-2.5
V
V
V
C / W
热电阻（的Au-Sn共晶附在后面）
* P
1dB
= 21.5dBm可以与8V / 50％的Idss偏压来获得。咨询工厂的晶圆选择。
最大额定值在25
O
C
符号
VDS
VGS
IDS
Igsf
针
总胆固醇
TSTG
Pt
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
正向栅电流
输入功率
通道温度
储存温度
总功耗
绝对
1
12V
-8V
IDSS
9mA
16dBm
175 C
-65/175
o
C
740mW
o
连续
2
6V
-3V
IDSS
1.5mA
@ 3分贝压缩
150
o
C
-65/150
o
C
625mW
注：1，超过任何上述的评分可能导致永久性损伤。
2.任何超出上述评级的可能减少到低于设计目标MTTF 。
Excelics半导体公司， 2908斯科特大道，圣克拉拉， CA 95054
电话： （ 408 ） 970-8664传真： （ 408 ） 970-8998网站：
www.excelics.com
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