EPA030C/EPA030CV
已更新2006年10月24日
高效异质结功率FET
特点
•
•
•
•
•
•
•
+ 23dBm的典型输出功率
11分贝典型功率增益EPA030C
和12.0分贝FOR EPA030CV AT 18GHz的
0.3 ×300 MICRON嵌“蘑菇”门
Si
3
N
4
钝化和镀HEAT SINK
先进的外延掺杂分布现状提供
高功率效率和可靠性
EPA030CV带通孔源极接地
IDSS排序10毫安PER BIN范围
芯片厚度： 75
±
13微米（ EPA030C ）
芯片厚度： 85
±
15微米（ EPA030CV ）
:
通孔
任何通过孔EPA030C
以微米所有尺寸
电气特性（T
a
= 25°C)
符号
参数/测试条件
在1dB压缩输出功率
V
DS
= 8V ，我
DS
≈
50% I
DSS
F = 12GHz的
F = 18GHz的
注意！ ESD敏感设备
.
EPA030C
民
典型值
最大
21.0
23.0
23.0
12.0
13.5
11.0
45
50
60
-13
-7
90
95
-1.0
-15
-14
125
-2.5
-13
-7
130
50
60
EPA030CV
民
21.0
12.5
典型值
23.0
23.0
14.0
12.0
46
90
95
-1.0
-15
-14
95
o
单位
最大
DBM
dB
%
130
mA
mS
-2.5
V
V
V
C / W
P
1dB
G
1dB
PAE
I
DSS
G
M
V
P
BV
GD
BV
GS
R
th
增益1dB压缩
F = 12GHz的
F = 18GHz的
V
DS
= 8V ，我
DS
≈
50% I
DSS
在1dB压缩功率附加效率
F = 12GHz的
V
DS
= 8V ，我
DS
≈
50% I
DSS
饱和漏极电流
跨
捏-O FF电压
漏极耐压
源极击穿电压
V
DS
= 3V, V
GS
= 0V
V
DS
= 3V, V
GS
= 0V
V
DS
= 3 V，I
DS
= 1.0毫安
I
GD
= 1.0毫安
I
GS
= 1.0毫安
热电阻（的Au-Sn共晶附在后面）
最大额定值在25
O
C
符号
参数
绝对
EPA030C
1
EPA030CV
绝对
1
10V
-5V
1.4mA
-0.2mA
20dBm
175 C
-65/175 C
1.5W
o
o
连续
2
8V
-3V
0.5mA
-0.1mA
@ 3分贝压缩
175 C
-65/175 C
1.1W
o
o
连续
2
8V
-3V
0.5mA
-0.1mA
@ 3分贝压缩
175 C
-65/175 C
1.5W
o
o
V
DS
V
GS
IGF
IGR
针
总胆固醇
TSTG
Pt
注意：
漏源电压
栅源电压
正向栅电流
反向栅电流
输入功率
通道温度
储存温度
总功耗
10V
-5V
1.4mA
-0.2mA
20dBm
175 C
-65/175 C
1.1W
o
o
1.超过任何上述的评分可能导致永久性损伤。
2.任何超出上述评级的可能减少到低于设计目标MTTF 。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
Excelics半导体公司310德Guigne车道，桑尼维尔，CA 94085
电话： 408-737-1711传真： 408-737-1868网址：
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修订后的2006年10月
EXCELICS [ EXCELICS SEMICONDUCTOR, INC. ]
