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EPA080A-70 参数 Datasheet PDF下载

EPA080A-70图片预览
型号: EPA080A-70
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内容描述: 高效异质结功率FET [High Efficiency Heterojunction Power FET]
分类和应用:
文件页数/大小: 2 页 / 23 K
品牌: EXCELICS [ EXCELICS SEMICONDUCTOR, INC. ]
 浏览型号EPA080A-70的Datasheet PDF文件第2页  
Excelics
数据表
180分钟。
(所有引线)
EPA080A-70
高效异质结功率FET
44
19
4
非密封的低成本陶瓷70mil包装
+ 25.5dBm典型输出功率
7.0分贝典型功率增益为12 GHz
0.3× 800 MICRON嵌“蘑菇”门
Si
3
N
4
钝化
先进的外延异质结简介
提供了额外的高功率效率,
和高可靠性
O
20
D
S
S
40
G
所有尺寸在密耳。
电气特性(T
a
= 25 C)
符号
P
1dB
G
1dB
PAE
IDSS
Gm
Vp
BVgd
BVgs
RTH
参数/测试条件
在1dB压缩输出功率
f=12GHz
VDS = 5V , IDS = 50 %的Idss
增益1dB压缩
f=12GHz
VDS = 5V , IDS = 50 %的Idss
在1dB压缩功率附加效率
VDS = 5V , IDS = 50 %的Idss
f=12GHz
饱和漏极电流
捏-O FF电压
VDS = 3V , VGS = 0V
VDS = 3V , VGS = 0V
VDS = 3V ,IDS = 2.5毫安
-10
-6
24.0
5.5
典型值
25.5
7.0
最大
单位
DBM
dB
%
320
mA
mS
-2.5
V
V
V
o
40
130
160
240
260
-1.0
-15
-14
135
*
漏极耐压IGD = 1.0毫安
源极击穿电压的Ig = 1.0毫安
热阻
C / W
*整体的Rth取决于安装的情况下。
最大额定值在25
O
C
符号
参数
绝对
1
连续
2
漏源电压
8V
5V
VDS
栅源电压
-5V
-3V
VGS
漏电流
IDSS
185mA
IDS
正向栅电流
40mA
7mA
Igsf
输入功率
23dBm
@ 3分贝压缩
o
通道温度
175 C
150
o
C
总胆固醇
储存温度
-65/175
o
C
-65/150
o
C
TSTG
总功耗
1.1W
0.9W
Pt
注: 1超过任何上述的评分可能导致永久性损伤。
2.任何超出上述评级的可能减少到低于设计目标MTTF 。
Excelics半导体公司, 2908斯科特大道,圣克拉拉, CA 95054
电话: ( 408 ) 970-8664传真: ( 408 ) 970-8998网址: www.excelics.com
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