Excelics
数据表
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EPA120E/EPA120EV
高效异质结功率FET
+ 29.5dBm典型输出功率
9.5分贝典型功率增益EPA120E和
10.5分贝FOR EPA120EV AT 18GHz的
0.3 X 1200 MICRON嵌“蘑菇”门
Si
3
N
4
钝化
先进的外延掺杂分布
可提供高功率效率，
线性度和可靠性
EPA120EV带通孔源极接地
IDSS排序30毫安PER BIN范围
芯片厚度： 75
±
20微米
以微米所有尺寸
电气特性（T
a
= 25
O
C)
符号
参数/测试条件
民
在1dB压缩输出功率
P
1dB
VDS = 8V ， IDS = 50 ％的Idss
增益1dB压缩
G
1dB
VDS = 8V ， IDS = 50 ％的Idss
增益1dB压缩
PAE
IDSS
Gm
Vp
BVgd
BVgs
RTH
VDS = 8V ， IDS = 50 ％的Idss
f=12GHz
210
240
45
360
380
-1.0
-11
-7
-15
-14
35
-2.5
510
f=12GHz
f=18GHz
f=12GHz
f=18GHz
10.0
28.0
:
通孔
任何通过孔EPA120E
EPA120EV
最大
民
28.0
典型值
29.5
29.5
10.5
12.5
10.5
dB
DBM
最大
单位
EPA120E
典型值
29.5
29.5
12.0
9.5
46
210
240
360
380
-1.0
-11
-7
-15
-14
25
o
%
510
mA
mS
-2.5
V
V
V
C / W
饱和漏极电流VDS = 3V ， VGS = 0V
跨
捏-O FF电压
VDS = 3V ， VGS = 0V
VDS = 3V ，IDS = 3.5毫安
漏极耐压IGD = 1.2毫安
源极击穿电压的Ig = 1.2毫安
热电阻（的Au-Sn共晶附在后面）
最大额定值在25
O
C
符号
参数
EPA120E
绝对
1
EPA120EV
2
连续
8V
-3V
405mA
10mA
@ 3分贝
压缩
150
o
C
-65/150
o
C
3.2W
绝对
1
12V
-8V
IDSS
60mA
27dBm
175
o
C
-65/175
o
C
5.4W
连续
2
8V
-3V
IDSS
10mA
@ 3分贝
压缩
150
o
C
-65/150
o
C
4.5W
VDS
VGS
IDS
Igsf
针
总胆固醇
TSTG
Pt
漏源电压
栅源电压
漏电流
正向栅电流
输入功率
通道温度
储存温度
总功耗
12V
-8V
IDSS
60mA
27dBm
175
o
C
-65/175
o
C
3.9W
注：1，超过任何上述的评分可能导致永久性损伤。
2.任何超出上述评级的可能减少到低于设计目标MTTF 。
Excelics半导体公司， 2908斯科特大道，圣克拉拉， CA 95054
电话： （ 408 ） 970-8664传真： （ 408 ） 970-8998网址： www.excelics.com
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