EPA160B-100P
已更新2006年5月5日
高效异质结功率FET
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非密封的100mil金属法兰包装
+ 31.0dBm典型输出功率
10分贝典型功率增益为12 GHz
0.3 X 1600 MICRON嵌“蘑菇”门
Si
3
N
4
钝化
先进的外延异质结
简介提供了额外的大功率
效率和高可靠性
G
D
电气特性（T
a
= 25
O
C)
符号
P
1dB
G
1dB
PAE
IDSS
Gm
Vp
BVgd
BVgs
RTH
参数/测试条件
在1dB压缩输出功率
F = 12GHz的
VDS = 8V ， IDS = 50 ％的Idss
F = 18GHz的
增益1dB压缩
F = 12GHz的
VDS = 8V ， IDS = 50 ％的Idss
F = 18GHz的
在1dB压缩功率附加效率
VDS = 8 V ， IDS = 50 ％的Idss
f=12GHz
饱和漏极电流
跨
捏-O FF电压
漏极耐压
源极击穿电压
VDS = 3V ， VGS = 0V
VDS = 3V ， VGS = 0V
VDS = 3V ，IDS = 4.5毫安
Igd=1.6mA
Igs=1.6mA
-13
-7
民
29.0
8.5
典型值
31.0
31.0
10.0
5.0
41
290
320
480
500
-1.0
-15
-14
35*
-2.5
660
最大
单位
DBM
dB
%
mA
mS
V
V
V
摄氏度/ W
热电阻（的Au-Sn共晶附在后面）
注意：
*
总体的Rth取决于安装的情况下。
最大额定值在25
O
C
符号
VDS
VGS
Igsf
Igsr
针
总胆固醇
TSTG
Pt
参数
漏源电压
栅源电压
正向栅电流
储备栅电流
输入功率
通道温度
储存温度
总功耗
绝对
1
12V
-5V
7.2毫安
-1.2毫安
28 dBm的
175
o
C
-65/175
o
C
4.0 W
连续
2
8V
-3V
2.4毫安
-0.4毫安
@ 3分贝压缩
175
o
C
-65/175
o
C
4.0 W
注：1，超过任何上述的评分可能导致永久性损伤。
2.任何超出上述评级的可能减少到低于设计目标MTTF 。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
Excelics半导体公司310德Guigne车道，桑尼维尔，CA 94085
电话： 408-737-1711传真： 408-737-1868网址：
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修订2006年5月
EXCELICS [ EXCELICS SEMICONDUCTOR, INC. ]
