Excelics
初步数据表
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+ 38.5dBm典型输出功率
18.5分贝典型功率增益为2GHz
0.5 X 9600 MICRON RECESSED
“蘑菇”门
Si
3
N
4
钝化
先进的外延异质结
简介提供了额外的大功率
效率高，可靠性高
IDSS排序240毫安PER BIN范围
'
'
EPA960B
高效异质结功率FET
'
'
6
*
6
*
6
*
6
*
6
芯片厚度： 50
±
10微米
（有> 20微米镀金散热器（ PHS） ）
以微米所有尺寸
电气特性（T
a
= 25
O
C)
符号
P
1dB
G
1dB
IDSS
Gm
Vp
BVgd
BVgs
RTH
参数/测试条件
在1dB压缩输出功率
VDS = 8V ， IDS = 50 ％的Idss
增益1dB压缩
VDS = 8V ， IDS = 50 ％的Idss
饱和漏极电流
跨
捏-O FF电压
F = 2GHz的
F = 4GHz的
F = 2GHz的
F = 4GHz的
民
37.0
17.0
1760
1920
典型值
38.5
38.5
18.5
13.5
2880
3120
-1.0
-11
-7
-15
-14
5
o
最大
单位
DBM
dB
VDS = 3V ， VGS = 0V
VDS = 3V ， VGS = 0V
VDS = 3V ，IDS = 28毫安
3760
mA
mS
-2.5
V
V
V
C / W
漏极耐压IGD = 9.6毫安
源极击穿电压的Ig = 9.6毫安
热电阻（的Au-Sn共晶附在后面）
最大额定值在25
O
C
符号
参数
绝对
1
连续
2
漏源电压
12V
8V
VDS
栅源电压
-8V
-3V
VGS
漏电流
IDSS
2.8A
IDS
正向栅电流
480mA
80mA
Igsf
输入功率
36dBm
@ 3分贝压缩
针
通道温度
175
o
C
150
o
C
总胆固醇
储存温度
-65/175
o
C
-65/150
o
C
TSTG
总功耗
27 W
23 W
Pt
注：1，超过任何上述的评分可能导致永久性损伤。
2.任何超出上述评级的可能减少到低于设计目标MTTF 。
Excelics半导体公司， 2908斯科特大道，圣克拉拉， CA 95054
电话： （ 408 ） 970-8664传真： （ 408 ） 970-8998网址： www.excelics.com
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