Excelics
数据表
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非常高的fmax ： 120GHz
典型0.50 〜 0.90分贝噪声系数和12.0 〜 13.0分贝
相关的增益AT 12GHz的
0.3 ×180 MICRON嵌“蘑菇”门
Si
3
N
4
钝化
先进的外延异质结简介
位于Super低噪声，高增益和高
可靠性
IDSS排序5毫安PER BIN范围
EPB018A5/A7/A9
超低噪声，高增益异质结场效应管
'
6
6
*
芯片厚度： 75
±
13微米
以微米所有尺寸
电气特性（T
a
= 25
O
C)
符号
NF
参数/测试条件
噪声系数， F = 12GHz的
VDS = 2V ，IDS = 15毫安
Ga
P
1dB
G
1dB
IDSS
Gm
Vp
BVgd
BVgs
RTH
相关的增益， F = 12GHz的
VDS = 2V ，IDS = 15毫安
在1dB压缩输出功率
VDS = 3V ，IDS = 25毫安
增益1dB压缩
VDS = 3V ，IDS = 25毫安
饱和漏极电流
跨
捏-O FF电压
EPB018A5
EPB018A7
EPB018A9
EPB018A5
EPB018A7
EPB018A9
f=12GHz
f=18GHz
f=12GHz
f=18GHz
民
典型值
0.50
0.65
0.95
13.0
12.5
12.0
15.0
15.0
15.0
13.0
45
90
-0.8
-3
-3
-6
-6
185
o
最大
0.60
0.80
1.20
单位
dB
12.0
11.5
11.0
dB
DBM
dB
80
mA
mS
-2.5
V
V
V
C / W
VDS = 2V ， VGS = 0V
15
50
VDS = 2V ， VGS = 0V
VDS = 2V ，IDS = 1.0毫安
漏极耐压IGD =为10uA
源极击穿电压的Ig =为10uA
热电阻（的Au-Sn共晶附在后面）
最大额定值在25
O
C
符号
参数
绝对
1
连续
2
漏源电压
5V
4V
VDS
栅源电压
-3V
-2V
VGS
漏电流
IDSS
IDSS
IDS
正向栅电流
2mA
0.3mA
Igsf
输入功率
12dBm
@ 1dB压缩
针
o
通道温度
175 C
150
o
C
总胆固醇
储存温度
-65/175
o
C
-65/150
o
C
TSTG
总功耗
740mW
625mW
Pt
注：1，超过任何上述的评分可能导致永久性损伤。
2.任何超出上述评级的可能减少到低于设计目标MTTF 。
Excelics半导体公司， 2908斯科特大道，圣克拉拉， CA 95054
电话： （ 408 ） 970-8664传真： （ 408 ） 970-8998网站：
www.excelics.com
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