EPB018B5/B7/B9-70
2007年11月1日签发
超低噪声，高增益异质结场效应管
特点
•
•
•
•
•
非密封的低成本陶瓷70万
包
典型0.50 〜 0.90分贝的噪声系数和
11.5 〜 13.0分贝相关的增益AT 12GHz的
0.3 ×180 MICRON嵌“蘑菇”
门
Si
3
N
4
钝化
先进的外延异质结
配置文件提供超低噪声，高
增益和高可靠性
注意！ ESD敏感器件。
电气特性（T
a
= 25°C)
符号
NF
参数/测试条件
EPB018B5-70
EPB018B7-70
EPB018B9-70
EPB018B5-70
相关的增益， F = 12GHz的
EPB018B7-70
V
DS
= 2 V，I
DS
≈
15毫安
EPB018B9-70
在1dB压缩输出功率
F = 12GHz的
F = 18GHz的
V
DS
= 3 V，I
DS
= 25毫安
增益1dB压缩
F = 12GHz的
F = 18GHz的
V
DS
= 3 V，I
DS
= 25毫安
饱和漏极电流
V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
噪声系数， F = 12GHz的
V
DS
= 2 V，I
DS
≈
15毫安
跨
捏-O FF电压
漏极耐压
源极击穿电压
热阻
V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 2 V，I
DS
= 1.0毫安
I
GD
= 10微安
I
GS
= 10微安
-3
-3
民
典型值
0.50
0.65
0.95
13.0
12.5
11.5
15.0
15.0
14.0
11.5
45
90
-0.8
-6
-6
480*
o
最大
0.60
0.80
1.20
单位
dB
Ga
P
1dB
G
1dB
I
DSS
G
M
V
P
BV
GD
BV
GS
R
TH
11.5
11.0
10.5
dB
DBM
dB
80
-2.5
mA
mS
V
V
V
C / W
15
50
注意事项：
*
总体的Rth取决于安装的情况下。
在25 °C最大额定值
符号
VDS
VGS
IDS
Igsf
针
总胆固醇
TSTG
Pt
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
正向栅电流
输入功率
通道温度
储存温度
总功耗
绝对
1
5V
-3V
IDSS
2mA
12dBm
175 C
-65/175 C
285mW
o
o
连续
2
4V
-2V
60mA
0.3mA
@ 1dB压缩
150 C
-65/150 C
240mW
o
o
注：1.超过任何上述的评分可能导致永久性损伤。
2.任何超出上述评级的可能减少到低于设计目标MTTF 。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
Excelics半导体公司310德Guigne车道，桑尼维尔，CA 94085
第1页3
电话： 408-737-1711传真： 408-737-1868网址：
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修订后的2007年11月
EXCELICS [ EXCELICS SEMICONDUCTOR, INC. ]
