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ES25P80-75IG2Y 参数 Datasheet PDF下载

ES25P80-75IG2Y图片预览
型号: ES25P80-75IG2Y
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内容描述: 8Mbit的CMOS 3.0伏闪存为75Mhz SPI总线接口 [8Mbit CMOS 3.0 Volt Flash Memory with 75Mhz SPI Bus Interface]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 35 页 / 436 K
品牌: EXCELSEMI [ EXCEL SEMICONDUCTOR INC. ]
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(E S)我
I
ES
先进的信息
Excel的半导体公司。
说明
所有的指令,地址和数据被移位在
进出设备,先从最显
着位。串行数据输入( SI)的上采样的第
片选后上涨串行时钟( SCK )的边缘
( CS # )变为低电平。然后,将1字节的指令
代码必须被移位到该设备,最显
第一斜面位,串行数据输入( SI ) ,每一位被
锁存串行时钟( SCK )的上升沿。
该指令集被列在表3中。
每个指令序列始于一个1字节
指令代码。根据该指令,
随后可能是地址字节,或通过数据
字节,或由两者或无。片选信号( CS # )必须是
该指令的最后一位后驱动高
序列已经被移入。
在读数据字节的情况下(READ ) ,读桩号
土族寄存器( RDSR ) ,在较高的读取数据字节
速度( FAST_READ ) ,读取识别( RDID )
阅读制造商和设备ID ( RDMD ) ,读
参数页面( RDPARA )和快速读取参
之三页( FRDPARA )指令,移位式
指令序列之后是一个数据输出
序列。
片选信号( CS # )后,可以任意位驱动高
的数据输出序列被移出到三 -
minate事务。
在一个页编程(PP)的情况下,程序
参数页面( PPP ) ,扇区擦除( SE ) ,散装
擦除( BE ) ,参数页擦除( PE ) ,写桩号
土族寄存器( WRSR ) ,写使能( WREN ) ,深
掉电( DP )或写禁止( WRDI )指令
化,片选( CS # )必须准确地驱动高
在一个字节边界,否则该指令是
拒绝,并且不被执行。也就是说,片选
( CS # )必须驱动为高电平时,时钟的数量
驱动芯片选择( CS # )后的脉冲是低
八的整数倍。
所有尝试期间访问所述存储器阵列
写状态寄存器周期,项目周期或擦除
周期被忽略,并且内部写状态
注册周期,项目周期或擦除周期CON-
tinues不受影响。
ES25P80
9
牧师0D日, 11日, 2006年