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I
ES
Excel的半导体公司。
一般产品说明
该ES29LV800是8兆, 3.0伏,只闪光
存储装置中,组织为1M ×8位(字节
模式)或512K ×16位(字模式),这是CON-
figurable通过BYTE # 。四个引导扇区和15
提供主营行业: 16K字节×1 , 8K字节
×2 , 32K字节×1和64K字节X 15,该装置是
与ESI的专利,高perfor-制造
曼斯和高可靠性的0.18微米CMOS闪存
技术。该设备可被编程或
擦除在系统与标准的3.0伏的Vcc电源
(2.7V - 3.6V) ,也可在标编程
准EPROM编程器。该器件提供MIN-
100000程序imum耐力/擦除周期
和超过10年的数据保存期。
该ES29LV800提供存取时间以最快的速度为70ns
或为90ns ,高速微处理器的允许操作
处理机无需等待。三个独立的控制
提供引脚,以消除总线争:芯片
使能( CE # ) ,写使能( WE# )和输出
使能(OE #)。
所有的编程和擦除操作是自动
并在内部进行的,并提供嵌入控制
DED编程/擦除内置在设备中的算法。
设备会自动生成并倍
必要的高电压脉冲被施加到
细胞,进行核查,并计数num-
BER序列。有些状态位( DQ7 , DQ6和
DQ5 )通过数据#轮询或切换之间的阅读
连续的读周期提供给用户的
编程/擦除操作的内部状态:是否
它成功完成或仍在进展。
该ES29LV800与完全兼容
单电源支持JEDEC标准命令集
来往的Flash 。命令被写入内部
采用标准时序写入命令寄存器
微处理器和数据可以从被读出
单元阵列中的设备与作为所用的相同的方式
其他EPROM或闪存设备。
ES29LV800D
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2006年修订版1D 1月5日,