（E S）我
I
ES
Excel的半导体公司。
在系统解除保护
“在系统解除保护” ，初级的方法，
需要V
ID
（ 11.5V 〜 12.5V ）上
RESET＃
同
A6 = 1 ，A 1 = 1，和A0 = 0 。该方法方案需要
mented无论是在系统或通过编程分析装备
换货。此方法使用标准的微处理器
总线周期时间。参照图26的时序图
和图3为解除保护算法。
命令寄存器和所有内部程序/
擦除电路都被禁止，并且该设备重置
读取模式。随后的写操作被忽略，直到
Vcc为大于V
LKO
。该系统必须提供
正确的信号给控制引脚，以防止可卸载
tentional写入当Vcc大于V
LKO
.
写脉冲“毛刺”保护
小于5ns的（典型值）的OE ＃ ， CE ＃脉冲噪声
或WE＃不启动写周期。
A9高压解除保护
“高电压解除保护” ，则替换方法
仅用于编程的设备，必须
力V
ID
（ 11.5 〜 12.5V ）地址引脚
A9
和反对
控制引脚
OE ＃
用A6 = 1， A 1 = 1， A 0 = 0 。请参阅
图。 29为时序图，以及图5，用于在外部器件了
tection算法。
逻辑INHIBIT
写周期是由持有任何一个抑制
OE ＃ = V
IL
，CE ＃ = V
IH
或WE ＃ = V
IH
。要开始写
周期， CE＃和WE＃必须是逻辑零，而
OE＃为逻辑1 。
临时机构撤消
此功能允许previ-暂时解除保护
ously保护部门改变系统的数据。
该部门撤消模式通过将激活
在RESET ＃引脚到V
ID
（ 11.5V - 12.5V ） 。在这
模式，以前受保护的行业，可以亲
编程或通过选择该扇区擦除
地址。一旦V
ID
从RESET ＃删除
销，所有以前受保护的行业是亲
再次tected 。图。图1示出的算法，图25
显示此功能的时序图。
上电时禁止写入
如果WE＃ = CE ＃ = V
IL
和OE ＃ = V
IH
上电时，
该设备不接受对任何命令
上涨的WE＃边沿。内部状态机
自动复位到上电时读取模式。
开始
硬件数据保护
该ES29LV800设备提供一些保护
以防止意外删除或编程措施
明引起的杂散系统级信号
功率转换过程中可能存在的。在上电期间，
所有内部寄存器和锁存器中的设备是
清除，器件自动复位到
阅读模式。此外，其内部状态
该机内置在设备中，的任何改动
存储器的内容或新操作 - 任何引发
能顺利完成spe-后才会发生
cific命令序列。和几个功能
成立以防止意外的写入周期
从Vcc上电和掉电跃迁产生的
化或系统噪声。
RESET ＃ = V
ID
（注1 ）
执行擦除或
方案业务
RESET ＃ = V
IH
临时机构
撤消已完成
（注2 ）
注意事项：
1.所有受保护的行业是不受保护的。
2.所有先前保护部门都再次受到保护。
低Vcc的写保护
当VCC低于V
LKO
，该设备不
接受任何写周期。这期间保护数据
VCC上电和断电。
图1.临时机构撤消
手术
9
2006年修订版1D 1月5日，
ES29LV800D
EXCELSEMI [ EXCEL SEMICONDUCTOR INC. ]
