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ES29BDS400DB-90RTG 参数 Datasheet PDF下载

ES29BDS400DB-90RTG图片预览
型号: ES29BDS400DB-90RTG
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内容描述: 为4Mbit ( 512Kx 8 / 256K ×16 )的CMOS 3.0伏只,引导扇区闪存 [4Mbit(512Kx 8/256K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 52 页 / 686 K
品牌: EXCELSEMI [ EXCEL SEMICONDUCTOR INC. ]
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(E S)我
I
ES
Excel的半导体公司。
引脚说明
A0-A17
DQ0-DQ14
DQ15/A-1
CE#
OE #
WE#
RESET#
BYTE #
RY / BY #
VCC
VSS
NC
18地址
15数据输入/输出
DQ15 (数据输入/输出,字模式)
A- 1 ( LSB地址输入,字节模式)
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
硬件复位引脚,低电平有效
选择8位或16位模式
READY / BUSY输出
3.0伏,只有单电源供电
(见产品选择指南速度选项和电源电压公差)
接地装置
引脚没有内部连接
描述
逻辑符号
18
A0 ~ A17
DQ0 〜 DQ15
(A-1)
16或8
CE#
OE #
WE#
RESET#
BYTE #
RY / BY #
ES29LV400D
4
2006年Rev.1C 1月5日,