（E S）我
I
ES
Excel的半导体公司。
该器件进入CMOS待机模式时，
CE ＃和RESET ＃引脚均保持在Vcc
+
0.3V.
（注意，这是一个更受限制的电压范围
比V
IH 。
）如果CE ＃和RESET ＃保持在V
IH
但
不Vcc的范围内
+
0.3V时，该设备将仍然在
待机模式中，但是待机电流将
大于所述的CMOS待机电流（ 0.2uA典型
美云） 。当设备处于待机模式时，仅
标准访问时间（t
CE
）被用于读
访问，它已经准备好读取数据之前。而且，即使
该设备通过CE＃引脚擦除过程中取消选择或
编程操作时，设备将激活电流
租，直到操作完全完成。而
设备停留在待机模式下，输出为
置于高阻抗状态，独立的
在OE ＃输入。
该器件可以进入深度掉电模式
其中电流消耗大大减少向下
至小于0.2uA通常由以下三个
方式：
-
CMOS待机
（ CE ＃ ， RESET ＃ = VCC + 0.3V ）
-
在设备复位
（ RESET ＃ = VSS
+ 0.3V )
-
在自动休眠模式
（经T
加
+为30ns ）
建立周期和最后一个周期与节目数据
和地址。在这种模式下，两个解锁周期是
保存（或绕过） 。
扇区地址
单元阵列的整个存储空间被划分为
一个多小的部门： 16K字节×1 ， 8K字节×2 ，
32K字节×1和64K字节×31主要部门。在
擦除操作，一个部门，多个行业，或
整个器件（芯片擦除）可以被选择用于
抹去。每个扇区占用的地址空间
详细示出在表3-4中。
自选模式
闪存被用于在应用程序中使用
其中本地CPU改变存储器的内容。在
这样的应用程序，制造商和设备identifi-
阳离子（ID ）代码必须是可访问的时
设备驻留在目标系统（即所谓的
“在系统程序” ） 。另一方面，签名
代码已通过提高A9通常被访问
引脚为高电压， PROM编程器。然而
以往，多路高压到地址线是
不是一般所需的系统设计实践。
因此，在ES29LV160装置中的
自选
命令
被提供给允许系统访问
签名的代码而没有任何高电压。该
常规
A9的高压法
在使用
PROM编程人员的代码签名仍然是支持
移植在此设备。
如果系统写入自选命令
序，器件进入自动选择模式。
然后，系统可以读一些有用的代码，例如
作为制造商和设备ID从内部稳压
在DQ7存器 - DQ0 。标准的读周期时序
适用于这种模式。在自动选择模式时，跟着
降脂3信息可通过访问
无论是自动选择命令的方法或A9高电压
年龄自动选择方法。参考表2中。
-
制造商ID
-
器件ID
-
扇区保护验证
参考CMOS DC特性表11为
进一步现行规范。
自动休眠模式
该器件自动进入深度掉电
模式地址时调用的自动休眠模式
保持稳定吨
加
+为30ns 。在这种模式下，电流
消耗大大降低（小于0.2uA
典型值） ，无论CE ＃ ， WE＃和OE ＃控制
信号。
写命令
写一个命令或命令序列到起始
tiate一些操作，如编程或擦除时，
系统必须驱动WE＃和CE ＃到V
IL
和OE ＃为
V
IH
。对于程序的操作， BYTE ＃引脚阻止 -
矿山设备是否接收程序数据
字节或字。请参阅“ BYTE ＃定时写
在图操作“ 。 19获取更多信息。
硬件设备复位（ RESET ＃ ）
在RESET ＃引脚提供的硬件方法
重置设备读取阵列的数据。当
RESET ＃引脚被拉低了至少一个周期T
RP
,
解锁旁路模式
为了减少更多的编程时间，一个unlock-
设置旁路模式。一旦设备进入
这种模式下，只有两个写周期都需要到起始
tiate编程操作，而不是四个
在正常的程序命令序列周期
这是由两个解锁周期，程序
ES29LV160D
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启示录1C 2006年1月5日
EXCELSEMI [ EXCEL SEMICONDUCTOR INC. ]
