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ES35P40-75CC2T 参数 Datasheet PDF下载

ES35P40-75CC2T图片预览
型号: ES35P40-75CC2T
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内容描述: 4Mbit的CMOS 3.0伏闪存为75Mhz SPI总线接口 [4Mbit CMOS 3.0 Volt Flash Memory with 75Mhz SPI Bus Interface]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 35 页 / 435 K
品牌: EXCELSEMI [ EXCEL SEMICONDUCTOR INC. ]
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(E S)我
I
ES
先进的信息
Excel的半导体公司。
写使能( WREN )
写使能( WREN)指令(图4 )套
写使能锁存器( WEL )位。写使能
锁存器( WEL)位之前,必须设置为每一页亲
克( PP或PPP ) ,擦除( SE , BE和PE )和写
状态寄存器( WRSR )指令。写
使能(WREN )指令通过驱动进入
片选信号( CS # )低,送指令代码,
然后驱动芯片选择( CS # )高。
写禁止( WRDI )
写禁止( WRDI )指令(图5 )
复位写使能锁存器( WEL )位。写
禁用( WRDI )指令是由驱动芯片进入
选择( CS # )低,送指令代码,
然后驱动芯片选择( CS # )高。
写使能( WEL )位在后续下重置
荷兰国际集团的条件:
-
-
-
-
-
-
上电
WRDI指令完成
WRSR指令完成
PP指令完成
SE指令完成
BE指令完成
CS #
0
1
2
3
4
5
6
7
SCK
指令
SI
0
0
0
0
0
1
1
0
SO
高阻抗
图4.写使能( WREN )指令序列
CS #
0
1
2
3
4
5
6
7
SCK
指令
SI
0
0
0
0
0
1
0
0
高阻抗
SO
图5.写禁止( WRDI )指令序列
ES25P40
11
牧师0D 2006年5月11日