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EX29DS640-70TCI 参数 Datasheet PDF下载

EX29DS640-70TCI图片预览
型号: EX29DS640-70TCI
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内容描述: 32兆( 4M ×8 / 2M ×16 )的CMOS 3.0伏只,同时操作闪存 [32Mbit(4M x 8/2M x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Memory]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 59 页 / 771 K
品牌: EXCELSEMI [ EXCEL SEMICONDUCTOR INC. ]
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先进的信息
表1. ES29DL320设备总线操作
手术
CE#
OE #
WE#
RESET#
WP # / ACC
地址
(注1 )
DQ0
~
DQ7
(E S)我
I
ES
Excel的半导体公司。
DQ8~DQ15
BYTE #
= V
IH
D
OUT
(注4 )
(注4 )
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
X
X
DQ8 - DQ14 =高阻,
DQ15 = A-1
BYTE #
= V
IL
加速计划
待机
输出禁用
RESET
L
L
L
VCC +
0.3V
L
X
部门保护
(注2 )
部门撤消
(注2 )
暂见第
取消保护器
L
L
H
H
X
H
X
H
H
L
L
X
H
X
L
H
H
H
VCC +
0.3V
H
L
V
ID
L / H
(注3)
V
HH
H
L / H
L / H
L / H
A
IN
A
IN
A
IN
X
X
X
SA,A6=L,
A1=H,A0=L
SA,A6=H,
A1=H,A0=L
D
OUT
(注4 )
(注4 )
高-Z
高-Z
高-Z
(注4 )
在系统
L
H
L
V
ID
L / H
(注3)
H
(注3)
H
(注3)
(注4 )
X
X
X
X
X
V
ID
A
IN
SA,A9=V
ID
,
A6=L,
A1=H,A0=L
(注4 )
(注4 )
高-Z
部门保护
A9高压线
年龄的方法
部门撤消
L
V
ID
L
H
(注4 )
L
V
ID
L
H
H
(注3)
SA,A9=V
ID
,
A6=H,
A1=H,A0=L
(注4 )
高-Z
图例:
L =逻辑低电平= V
IL
,H =逻辑高电平= V
IH
, V
ID
=8.5 - 12.5V, V
HH
= 8.5 - 9.5V , X =无所谓, SA =扇区地址,
A
IN
=地址,D
IN
=数据,D
OUT
= OUT数据
注意事项:
1.地址是A20 : A0字模式( BYTE # = V
IH
) , A20 : A- 1字节模式( BYTE # = V
IL
).
2.扇区保护和扇区解除保护功能也可以通过编程设备来实现。请参见“行业/部门
块保护和unprotection的“一节。
3.如果WP # / ACC = V
IL
,最外边的两个引导区受到保护。如果WP # / ACC = V
IH
,两个最外侧的引导扇区保护
取决于他们是否正在使用中的“部门/部门块保护和描述的方法,最后受保护或不受保护
解除保护“ 。如果WP # / ACC = V
HH
,所有部门将不受保护。
4. D
IN
或D
OUT
所要求的指令序列,数据查询,或部门保护算法。
表2.自动选择代码( A9高压法)
A20
CE # OE # WE#为
A12
L
L
L
L
H
H
BA
BA
描述
A11
to
A10
X
X
A9
A8
to
A7
X
X
A6
A5
to
A2
X
X
DQ8~DQ15
A1
A0
BYTE # BYTE #
= V
IH
= V
IL
X
22h
X
X
DQ7~DQ0
ManufactureID : ESI
设备ID :
ES29DL320
扇区保护
验证
安全部门
指示位( DQ7 )
V
ID
V
ID
V
ID
L
L
L
L
L
H
4Ah
41h(T),81h(B)
01h(protected)
00h(unprotected)
82h(factory-locked),
02h(customer-lock-
能)
L
L
H
SA
X
X
L
X
H
L
X
X
L
L
H
BA
X
V
ID
X
L
X
H
H
X
X
图例:
T =热门引导块,B =底部引导块, L =逻辑低= V
IL
,H =逻辑高电平= V
IH
, BA =银行地址, SA =扇区地址,
X =不在乎。
ES29DL320
12
牧师0E 2006年5月25日